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发明公开
存储装置和对存储装置进行编程的方法审中-实审

公开(公告)号：CN115954036A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211017452.1

申请日：2022-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道彬 , 郑原宅 , 梁在爀 , 梁真宇

IPC: G11C16/34 , G11C16/04

Abstract: 提供了一种存储装置以及对存储装置进行编程的方法。所述方法可以包括：将编程循环应用到所述存储装置的多个存储单元以将所述多个存储单元的阈值电压调整到期望的目标状态，每个所述编程循环包括编程阶段和验证阶段；对第一页面的存储单元进行编程；存储完成将所述第一页面的存储单元编程为第一目标状态所使用的第一编程循环的数目；将第二页面的存储单元编程为所述第一目标状态，所述第二页面与所述第一页面相邻；以及对所述第二页面执行验证操作。

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