公开(公告)号：CN116247056A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202210979529.7

申请日：2022-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  姜尚廷 ,  金真雨 ,  成有梨

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了半导体装置，其包括：基底，包括PMOSFET区域和NMOSFET区域；以及PMOSFET区域上的第一晶体管和NMOSFET区域上的第二晶体管，第一晶体管包括：第一栅极介电层，在基底上；第一下金属图案，在第一栅极介电层上；第二下金属图案，在第一下金属图案上；以及第一中间图案，在第一下金属图案与第二下金属图案之间，第二晶体管包括：第二栅极介电层，在基底上；第三下金属图案，在第二栅极介电层上；以及第二中间图案，在第二栅极介电层与第三下金属图案之间，第一中间图案和第二中间图案均包括镧，第一下金属图案至第三下金属图案均包括金属氮化物，并且第一下金属图案的厚度大于第三下金属图案的厚度。

公开(公告)号：CN113540086A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110393477.0

申请日：2021-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  姜尚廷 ,  金真雨 ,  尹智

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一栅极结构，在基板的第一区域上沿第一方向延伸，该第一栅极结构包括第一栅极绝缘膜和设置在第一栅极绝缘膜上的第一功函数膜；以及第二栅极结构，在基板的第二区域上沿第一方向延伸，该第二栅极结构包括第二栅极绝缘膜和设置在第二栅极绝缘膜上的第二功函数膜，其中第一功函数膜在与第一方向交叉的第二方向上的第一厚度不同于第二功函数膜在第二方向上的第二厚度，以及其中第一功函数膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二功函数膜在第三方向上的第二高度。