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公开(公告)号：CN100382052C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510087315.5
申请日：2005-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/12
CPC classification number: G06F12/123 , G06F12/08 , G06F2212/2022 , Y02D10/13
Abstract: 提供一种页替换方法。该页替换方法包括以下步骤：(a)建立第一页列表，在该页列表中，主存储器中的多个页以它们已经被使用的顺序被列出；(b)建立第二页列表，在该页列表中，其图像被存储在存储介质中的主存储器中的页以它们已经被使用的顺序被列出；和(c)将从存储介质下载的数据以与相应页在第二页列表中被列出的顺序相反的顺序存储在包括在第二页列表中的页中。
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公开(公告)号：CN101339538B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200810131986.0
申请日：2008-07-04
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7206
Abstract: 本发明提供一种使用页结构的数据树存储方法、系统和计算机程序产品。通过将叶节点和包括指向叶节点的指针的索引节点存储在以每页为基础读的闪存装置中的同一页中来在闪存装置中存储树数据结构。例如，当键值被添加到叶节点或者从叶节点删除键值时，叶节点的修改版本和索引节点的修改版本可被存储在闪存装置的新的页中。
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公开(公告)号：CN1597134A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410078042.3
申请日：2004-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B05B9/00 , B05B12/10 , G02F1/1333
CPC classification number: B05B1/205 , B05C11/1007 , B05C11/1042 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供了一种生产用溶液供给系统以及用于方便地供给生产用溶液的方法。生产用溶液供给装置在可控的温度下将生产用溶液提供给用于通过多个喷头将生产用溶液喷射到基片上的处理装置。将生产用溶液通过通道输送到喷头，在一个实施例中，其可包括管道装置。通道可方便地利用连接管、热传感器、及管道装置控制温度，以便从多个喷头喷射的生产用溶液的温度基本等于最初从生产用溶液供给装置供给的生产用溶液的温度。
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公开(公告)号：CN118553287A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410196013.4
申请日：2024-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 闪速存储器包括：存储器单元阵列，具有多个存储器单元；读取恢复电压生成器，被配置为向多个存储器单元提供读取恢复电压；以及读取恢复电压控制器，被配置为提供用于控制读取恢复电压的恢复控制信号。读取恢复电压生成器包括多个接地通过晶体管，所述多个接地通过晶体管在读取恢复操作期间被配置为响应于恢复控制信号控制提供给未选字线的未选恢复电压的下降斜率。
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公开(公告)号：CN118044342A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280065797.6
申请日：2022-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据各种实施例，一种包括热固性接合片的电子装置可以包括：基底基板(31)，包括基底基板主体和设置在基底基板主体上的多个基底焊盘；连接基板(34)，包括面对基底基板主体的连接基板主体、设置在连接基板主体上并具有焊盘孔的多个连接焊盘以及设置在连接基板主体上并连接到所述多个连接焊盘的多条连接线；焊料(32)，设置在基底焊盘上，至少部分地插入到焊盘孔中，并电连接基底焊盘和连接焊盘；以及热固性接合片(33)，提供在基底基板主体和连接基板主体之间，接合到基底基板主体和连接基板主体中的每个，并围绕焊料。各种其它实施例是可能的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1749354B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200510106764.X
申请日：2005-08-25
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵-基材料的蚀刻抑制剂，及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。
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公开(公告)号：CN1749354A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510106764.X
申请日：2005-08-25
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵－基材料的蚀刻抑制剂及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。
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公开(公告)号：CN100437218C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410071401.2
申请日：2004-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/6708 , B08B3/022 , B08B11/02 , H01L21/67051
Abstract: 提供一种在水平方向传送基底并在该基底表面上供给处理溶液的基底处理装置，它包括：保持位于其下的基底的基底支持部件；用于供给处理溶液的喷射部件，该喷射部件位于基底的下面并与基底间隔分开；以及用于在水平方向上传送基底支持部件的传送部件。
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公开(公告)号：CN1728114A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510087315.5
申请日：2005-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/12
CPC classification number: G06F12/123 , G06F12/08 , G06F2212/2022 , Y02D10/13
Abstract: 提供一种页替换方法。该页替换方法包括以下步骤：(a)建立第一页列表，在该页列表中，主存储器中的多个页以它们已经被使用的顺序被列出；(b)建立第二页列表，在该页列表中，其图像被存储在存储介质中的主存储器中的页以它们已经被使用的顺序被列出；和(c)将从存储介质下载的数据以与相应页在第二页列表中被列出的顺序相反的顺序存储在包括在第二页列表中的页中。
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公开(公告)号：CN110321297B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201910237594.0
申请日：2019-03-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/0802
Abstract: 存储装置包括控制器和非易失性存储器。控制器接收具有虚拟流标识符(ID)的写入命令、接收具有虚拟流ID的丢弃命令，并确定分配虚拟流ID中的每一个的写入数据的生存期。控制器根据物理流ID访问非易失性存储器。控制器基于写入数据的生存期来映射虚拟流ID和物理流ID。
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