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公开(公告)号：CN119069511A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410507201.4
申请日：2024-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/732 , H01L27/082
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：至少一个阱区，在衬底中并且具有第一导电类型；杂质注入区，在阱区中并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并且沿第一方向布置；第一鳍结构，在杂质注入区上并且具有第二导电类型，其中，第一鳍结构包括交替地堆叠的第一半导体图案和第一牺牲图案；第一鳍结构上的第一接触部；第一外延图案，在阱区上并且具有第一导电类型；以及第二接触部，在第一外延图案上。
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公开(公告)号：CN118737970A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311746798.X
申请日：2023-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/50
Abstract: 一种半导体器件包括：第一衬底，包括第一区域和第二区域；有源图案，设置在所述第一区域上；源极/漏极图案，设置在所述有源图案上；贯通接触，设置在所述第二区域上；第一金属层，设置在所述贯通接触上；第二衬底，设置在所述第一金属层上，其中，所述第二衬底包括杂质区域；下接合焊盘，设置在所述第一金属层与所述第二衬底之间；上接合焊盘，设置在所述下接合焊盘上；以及电力传输网络层，设置在所述第一衬底的底表面上，其中，所述下接合焊盘和所述上接合焊盘彼此接触，其中，所述贯通接触连接到所述下接合焊盘，并且其中，所述杂质区域连接到所述上接合焊盘。
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公开(公告)号：CN118522711A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311376622.X
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/532 , B81B7/00
Abstract: 提供了一种具有简化的设计和改善的性能的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括正面和与正面背对的背面；电子器件，在基底的正面上；层间绝缘层，覆盖电子器件；正面布线结构，在层间绝缘层上；背面布线结构，在基底的背面上；以及至少一个单元链，将电子器件与背面布线结构电连接，单元链包括：贯通插塞，穿过基底；连接接触件，在层间绝缘层上；第一链插塞，穿过层间绝缘层以将贯通插塞与连接接触件连接；以及第二链插塞，穿过层间绝缘层以连接到贯通插塞。
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公开(公告)号：CN117457621A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310904212.1
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域；第一器件，在第一区域中位于基底上；第二器件，在第二区域中位于基底上；正面互连结构，在基底的正面上且包括电连接到第一器件和第二器件的多个互连层；以及背面掩埋互连结构，与基底的背面相邻，基底的背面与基底的正面相对。背面掩埋互连结构包括背面掩埋绝缘层和背面掩埋导电层，背面掩埋绝缘层位于从基底的背面朝向基底的正面凹陷的沟槽中，背面掩埋导电层位于背面掩埋绝缘层中。背面掩埋互连结构位于第一区域或第二区域中。
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公开(公告)号：CN115863342A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211122880.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一器件区和第二器件区；有源区，在衬底上彼此间隔开，该有源区具有恒定的宽度并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸，并且该有源区包括：设置在第一器件区上的第一有源区和第二有源区；以及设置在第二器件区上的第三有源区和第四有源区；多个沟道层，设置在有源区上并被配置为在垂直于衬底的上表面的方向上彼此间隔开；栅结构，设置在衬底上并延伸以与有源区和多个沟道层交叉；以及源/漏区，在栅结构的至少一侧设置在有源区上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119855227A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410884567.3
申请日：2024-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，具有第一表面和第二表面；鳍型有源区，在衬底的第一表面上沿第一水平方向延伸，并且包括彼此相邻的第一区域和第二区域；第一源/漏区，布置在鳍型有源区的第一区域上；第二源/漏区，布置在鳍型有源区的第二区域上；以及填充绝缘层，在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸，其中，第一区域包括第一导电类型，其中，第二区域包括与第一导电类型不同的第二导电类型，并且其中，第一区域与第二区域之间的边界包括基本垂直于第一水平方向并且与填充绝缘层重叠的部分。
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公开(公告)号：CN118053876A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310806747.5
申请日：2023-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一有源图案，在基底上彼此相邻；第一源极/漏极图案，分别在第一有源图案上并且彼此相邻；第一分隔结构和第二分隔结构，与第一有源图案交叉并且布置在基底上，使得第一源极/漏极图案中的相邻第一源极/漏极图案置于第一分隔结构与第二分隔结构之间；第一贯穿过孔，在所述相邻第一源极/漏极图案之间；第一电力线，在第一贯穿过孔上并且电连接到第一贯穿过孔；电力输送网络层，在基底的底表面上；以及第一下贯穿过孔，在电力输送网络层与第一贯穿过孔之间。
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公开(公告)号：CN117199131A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310529488.6
申请日：2023-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体装置包括：底部衬底；设置在底部衬底上的第一层间绝缘层；设置在第一层间绝缘层内的电力轨；有源图案，其在第一水平方向上延伸并且设置在第一层间绝缘层上；栅电极，其在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，并且设置在有源图案上；栅极切割件，其在第一水平方向上延伸并且设置在电力轨上，其中，栅极切割件分离栅电极；以及电力轨穿通件，其设置在栅极切割件内，其中，电力轨穿通件与电力轨重叠。
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公开(公告)号：CN120035215A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411129180.3
申请日：2024-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/85 , H01L23/62 , H01L23/528 , H10D84/03
Abstract: 提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：第一电力线和第二电力线，在衬底上在相对衬底的竖直方向上与第一单元区、单元间分离区和第二单元区重叠；第一电力分接单元，穿透衬底，并且从第一电力线接收第一电压；第二电力分接单元，穿透衬底，并且从第二电力线接收与第一电压不同的第二电压；第一虚设栅极绝缘线和第二虚设栅极绝缘线，第一虚设栅极绝缘线和第二虚设栅极绝缘线彼此分开，第一电力分接单元和第二电力分接单元介于第一虚设栅极绝缘线与第二虚设栅极绝缘线之间；以及虚设栅极绝缘桥，限定真空空间，并且连接到第一虚设栅极绝缘线和第二虚设栅极绝缘线。
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公开(公告)号：CN119342799A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410548260.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00
Abstract: 本公开涉及半导体器件，包括具有背面电力输送网络(BSPDN)的半导体器件。示例半导体器件包括：衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有源图案，在第一表面上；第一栅极结构，与第一有源图案交叉；以及第一后布线图案和第二后布线图案，设置在第二表面上距衬底相同的高度处。第一后布线图案包括均沿第一方向延伸的第一延伸部分和第二延伸部分、以及连接部分，该连接部分沿与第一方向交叉的第二方向延伸以将第一延伸部分连接到第二延伸部分。第二后布线图案在第二方向上与第一延伸部分间隔开，并且在第一方向上与连接部分间隔开。
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