公开(公告)号：CN106158970A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610288540.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金载哲

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供了一种包括鳍形图案的半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍形图案；场绝缘层，设置在第一鳍形图案的附近，并具有第一部分和第二部分，第一部分从第二部分突出；第一虚设栅极堆叠件，形成在场绝缘层的第一部分上，并包括具有第一厚度的第一虚设栅极绝缘层；第一栅极堆叠件，形成在场绝缘层的第二部分上以与第一鳍形图案相交，并包括具有与第一厚度不同的第二厚度的第一栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN115863342A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211122880.0

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  金珍圭 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  金载哲 ,  李相勋

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一器件区和第二器件区；有源区，在衬底上彼此间隔开，该有源区具有恒定的宽度并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸，并且该有源区包括：设置在第一器件区上的第一有源区和第二有源区；以及设置在第二器件区上的第三有源区和第四有源区；多个沟道层，设置在有源区上并被配置为在垂直于衬底的上表面的方向上彼此间隔开；栅结构，设置在衬底上并延伸以与有源区和多个沟道层交叉；以及源/漏区，在栅结构的至少一侧设置在有源区上。

公开(公告)号：CN106158970B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201610288540.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金载哲

IPC: H01L29/78

Abstract: 提供了一种包括鳍形图案的半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍形图案；场绝缘层，设置在第一鳍形图案的附近，并具有第一部分和第二部分，第一部分从第二部分突出；第一虚设栅极堆叠件，形成在场绝缘层的第一部分上，并包括具有第一厚度的第一虚设栅极绝缘层；第一栅极堆叠件，形成在场绝缘层的第二部分上以与第一鳍形图案相交，并包括具有与第一厚度不同的第二厚度的第一栅极绝缘层。