公开(公告)号：CN1992190A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610171283.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张圆培 ,  金承彻 ,  崔灿承 ,  金民锡 ,  金治完 ,  李善鎔 ,  河商录

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。

公开(公告)号：CN1992190B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200610171283.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张圆培 ,  金承彻 ,  崔灿承 ,  金民锡 ,  金治完 ,  李善鎔 ,  河商录

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。