公开(公告)号：CN107689418B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201710645754.6

申请日：2017-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哉勋 ,  金柱显

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 提供了一种磁存储器件，其包括具有自由图案、参考图案、以及在自由图案与参考图案之间的隧道势垒图案的磁隧道结图案。自由图案包括第一子自由图案、第二子自由图案和第三子自由图案。第一子自由图案在隧道势垒图案与第三子自由图案之间，第二子自由图案在第一子自由图案与第三子自由图案之间。第二子自由图案包括镍‑钴‑铁‑硼(NiCoFeB)，第三子自由图案包括镍‑铁‑硼(NiFeB)。还提供了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN107611256B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201710056924.7

申请日：2017-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金起园 ,  吴世忠 ,  朴容星 ,  金柱显

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 磁器件包括自由层；钉扎层；隧道势垒，设置在自由层和钉扎层之间；极化增强层，设置在隧道势垒和钉扎层之间；以及阻挡层，设置在极化增强层和钉扎层之间，其中阻挡层包括第一扩散陷阱层和设置在第一扩散陷阱层上的第二扩散陷阱层。

公开(公告)号：CN111312745B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201911232220.6

申请日：2019-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底上的缓冲层；磁隧道结结构，其包括在缓冲层上依次堆叠的固定层结构、隧道屏障和自由层的磁隧道结结构；以及自旋轨道扭矩(SOT)结构，其位于磁隧道结结构上并且包括拓扑绝缘体材料，其中，自由层包括哈斯勒材料。

公开(公告)号：CN107017337B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201611122010.8

申请日：2016-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金柱显 ,  朴容星 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。

公开(公告)号：CN107689418A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710645754.6

申请日：2017-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哉勋 ,  金柱显

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 提供了一种磁存储器件，其包括具有自由图案、参考图案、以及在自由图案与参考图案之间的隧道势垒图案的磁隧道结图案。自由图案包括第一子自由图案、第二子自由图案和第三子自由图案。第一子自由图案在隧道势垒图案与第三子自由图案之间，第二子自由图案在第一子自由图案与第三子自由图案之间。第二子自由图案包括镍-钴-铁-硼(NiCoFeB)，第三子自由图案包括镍-铁-硼(NiFeB)。还提供了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN109560191B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201811060554.5

申请日：2018-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金柱显 ,  朴正桓 ,  吴世忠 ,  张荣万

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。

公开(公告)号：CN109786547A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811323498.X

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正敏 ,  金柱显 ,  朴正桓 ,  吴世忠 ,  李同规 ,  洪京一

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 在一种制造可变电阻存储器件的方法中，在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该MTJ结构层以形成MTJ结构。通过传送室将其上具有该MTJ结构的衬底传送到沉积室。在所述沉积室中形成覆盖该MTJ结构的侧壁的保护层。所述蚀刻室、传送室和沉积室保持在等于或大于约10-8托的高真空状态。

公开(公告)号：CN106654000B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201610957717.4

申请日：2016-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容星 ,  李俊明 ,  金基雄 ,  金柱显 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。

公开(公告)号：CN107017337A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611122010.8

申请日：2016-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金柱显 ,  朴容星 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11C11/1657 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。

公开(公告)号：CN106654000A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610957717.4

申请日：2016-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容星 ,  李俊明 ,  金基雄 ,  金柱显 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3464 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。