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公开(公告)号：CN117153820A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310194515.9
申请日：2023-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有键区域；在键区域上的虚设有源图案，该虚设有源图案包括第一杂质区域和第二杂质区域；线结构，设置在第一杂质区域上并在第一方向上延伸；虚设栅电极，设置在第一杂质区域和第二杂质区域之间并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及虚设接触部，被设置为与线结构的一侧相邻并连接到第二杂质区域。虚设接触部包括在第二方向上布置的多个长接触部。
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