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公开(公告)号：CN1896822B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610099011.5
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , C09K13/04
CPC classification number: G02F1/13439 , H01L31/022466 , H01L31/1884
Abstract: 本发明提供了一种用于透明导电氧化物层的蚀刻剂以及利用该蚀刻剂制造液晶显示器(LCD)的方法。该蚀刻剂包括2-15wt％(重量百分比)的硫酸、0.02-10wt％的碱金属的硫酸氢盐、以及余量的去离子水。
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公开(公告)号：CN1884618B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610086467.8
申请日：2006-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括：10-20wt％的过氧化氢、1-5wt％的有机酸、0.1-1wt％的基于三唑的化合物、0.01-0.5wt％的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。
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公开(公告)号：CN101886266A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN101271237A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810087224.5
申请日：2008-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2001/136222 , G02F2203/30 , G09G2320/0242
Abstract: 本发明公开了一种显示基板，其包括像素层、滤色器层和像素电极。像素层包括分别与红像素、绿像素和蓝像素相关联的第一存储电极、第二存储电极和第三存储电极。第一存储电极、第二存储电极和第三存储电极至少之一具有与其余存储电极不同的面积。滤色器层包括形成在像素层上的红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器。红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器分别对应于红像素、绿像素和蓝像素。像素电极形成在滤色器层上。像素电极对应于红像素、绿像素和蓝像素。
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公开(公告)号：CN101114119A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710090492.8
申请日：2007-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种多色调光掩模包括基底、阻光图案、第一半透射图案和第二半透射图案。阻光图案在基底上形成。第一半透射图案在基底上形成。第二半透射图案与第一半透射图案部分叠置。该多色调光掩模具有至少五种不同的透光率，这些透光率对应于在基底上划分的多个区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1967338A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610171882.3
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种显示基底，包括薄膜晶体管层、滤色器层、多个像素电极、第一覆盖层和取向层。该薄膜晶体管层包括多个像素区域。该滤色器层形成在该薄膜晶体管层上。该像素电极形成在具有至少一个间隙的该滤色器层上，该间隙限定在相邻像素电极之间。该第一覆盖层提供在相邻像素电极之间的间隙内，并且覆盖通过该像素电极之间的该间隙露出的该滤色器层的一部分。该取向层形成在该像素电极和该第一覆盖层上。因此，该滤色器层与该取向层相分离以减少残留影像，因此提高了图像显示质量。
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公开(公告)号：CN1904742A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610103511.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/425 , H01L21/2855 , H01L21/31133 , H01L21/76838 , H01L21/7685 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 一种光刻胶去除剂组合物、以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法。该光刻胶去除剂组合物包括约50WT％至约70WT％的二乙二醇丁醚、约20WT％至约40WT％的烷基吡咯烷酮、约1WT％至约10WT％的有机胺化合物、约1WT％至约5WT％的氨基丙基吗啉、以及约0.01WT％至约0.5WT％的巯基化合物。
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公开(公告)号：CN1896822A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610099011.5
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , C09K13/04
CPC classification number: G02F1/13439 , H01L31/022466 , H01L31/1884
Abstract: 本发明提供了一种用于透明导电氧化物层的蚀刻剂以及利用该蚀刻剂制造液晶显示器(LCD)的方法。该蚀刻剂包括2－15wt％(重量百分比)的硫酸、0.02－10wt％的碱金属的硫酸氢盐、以及余量的去离子水。
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公开(公告)号：CN103034004A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210434760.4
申请日：2006-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/1362 , G02F2001/136222 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；半导体，布置在所述数据线下方；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料；像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极；屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。
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公开(公告)号：CN1873489B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610078289.4
申请日：2006-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/136 , G09G3/36 , H01L27/00
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F2001/136254 , G09G3/3696 , G09G2310/0245 , G09G2320/043
Abstract: 本发明提供了一种包括非晶硅薄膜晶体管的液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及适用于该种液晶显示器的制造方法的老化系统。该方法包括以下步骤：提供液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，其中，向栅电极施加第一电压，向漏电极施加第二电压，并且第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。
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