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公开(公告)号:CN107301946B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN201710243397.0
申请日:2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种用于从基板去除粒子的清洁装置。该清洁装置包括:第一清洁单元,包括将第一化学液体和第一喷雾供应到基板的第一双喷嘴,第一喷雾包括溶解第一化学液体的第一液体;以及第二清洁单元,包括将不同于第一化学液体的第二化学液体和第二喷雾供应到基板的第二双喷嘴,第二喷雾包括溶解第二化学液体并且与第一液体相同的第二液体。
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公开(公告)号:CN110473804A
公开(公告)日:2019-11-19
申请号:CN201910381619.4
申请日:2019-05-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L21/67
Abstract: 清洁设备包括气体供应线路和清洁液体供应线路。喷嘴连接到气体供应线路和清洁液体供应线路。喷嘴将清洁液体施加到基板上。位于喷嘴的主体的顶部处的气体注入口连接到气体供应线路。第一清洁液体注入口设置在喷嘴主体的侧壁上并连接到清洁液体供应线路。流体排出口设置在喷嘴主体的底部,并排出气体和清洁液体。喷嘴主体的内部通道将气体注入口和第一清洁液体注入口中的每一个连接到流体排出口。流体排出口的直径大于第一清洁液体注入口的直径。
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公开(公告)号:CN118263212A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202311635844.9
申请日:2023-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H10B12/00 , H10B41/35 , H10B43/35 , H01L23/482
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括:交替地堆叠在衬底的上表面上的栅极层和下绝缘层、穿过栅极层和下绝缘层并在竖直方向上延伸的沟道结构、设置在沟道结构上的串选择栅极层、穿过串选择栅极层并在竖直方向上延伸的串选择沟道结构、以及设置在沟道结构和串选择沟道结构之间的空间中并将沟道结构连接至串选择沟道结构的接触焊盘。接触焊盘的下表面接触沟道结构,并且接触焊盘的上表面接触串选择沟道结构。接触焊盘的下表面的第一宽度大于接触焊盘的中心部分的第二宽度。接触焊盘的上表面的第三宽度大于接触焊盘的中心部分的第二宽度。
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公开(公告)号:CN107301946A
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201710243397.0
申请日:2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/20 , B24B53/017 , H01L21/02057 , H01L21/02065 , H01L21/02074 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/67219 , H01L21/67023
Abstract: 提供一种用于从基板去除粒子的清洁装置。该清洁装置包括:第一清洁单元,包括将第一化学液体和第一喷雾供应到基板的第一双喷嘴,第一喷雾包括溶解第一化学液体的第一液体;以及第二清洁单元,包括将不同于第一化学液体的第二化学液体和第二喷雾供应到基板的第二双喷嘴,第二喷雾包括溶解第二化学液体并且与第一液体相同的第二液体。
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