包括接触结构的半导体装置

    公开(公告)号:CN108987397B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN201810203802.0

    申请日:2018-03-13

    Abstract: 本申请提供一种半导体装置,其包括位于支承层上的第一布线图案、位于第一布线图案上的第二布线图案和多重绝缘图案。第一布线图案在第一方向上延伸,并且在第二方向上彼此间隔开。支承层包括位于第一布线图案之间在第一方向和第二方向上彼此间隔开的第一接触孔图案。第二布线图案在第二方向上延伸,并且在第一方向上彼此间隔开。所述多重绝缘图案位于支承层的未形成第一接触孔图案的上表面上,排列在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上,并且在第一布线图案与第二布线图案之间。

    包括接触结构的半导体装置

    公开(公告)号:CN108987397A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810203802.0

    申请日:2018-03-13

    Abstract: 本申请提供一种半导体装置,其包括位于支承层上的第一布线图案、位于第一布线图案上的第二布线图案和多重绝缘图案。第一布线图案在第一方向上延伸,并且在第二方向上彼此间隔开。支承层包括位于第一布线图案之间在第一方向和第二方向上彼此间隔开的第一接触孔图案。第二布线图案在第二方向上延伸,并且在第一方向上彼此间隔开。所述多重绝缘图案位于支承层的未形成第一接触孔图案的上表面上,排列在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上,并且在第一布线图案与第二布线图案之间。

    存储器件及其制造方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109768014B

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN201811324290.X

    申请日:2018-11-08

    Abstract: 提供了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括:位于由衬底上的器件隔离层限定的有源区域上的单元晶体管,使得每个单元晶体管具有掩埋单元栅极和与所述衬底邻近并相对于所述掩埋单元栅极至少部分位于所述衬底远侧的结部分;所述衬底上的绝缘图案,覆盖所述单元晶体管和所述器件隔离层;以及位于所述绝缘图案上并连接到所述结部分的位线结构。所述位线结构包括:位于所述图案上并具有热氧化物图案的缓冲图案、位于所述缓冲图案上的导线以及从所述导线穿过所述缓冲图案和所述绝缘图案延伸到所述结部分的接触。

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