公开(公告)号：CN118507382A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410176772.4

申请日：2024-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹民洪 ,  前田茂伸 ,  金庆泰 ,  金东铉 ,  朴常允

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体生产系统，包括：第一腔室，其被配置为被设置为第一设置值并处理晶片；第二腔室，其被配置为被设置为第二设置值并处理在第一腔室中处理的晶片；和故障检测和分类(FDC建模模块)，其被配置为：训练第一FDC机器学习模型，以基于第一设置值和关于在第一腔室中处理的晶片感测的第一FDC值来生成关于第一腔室中的第一虚拟晶片的第一预测FDC值；以及训练第二FDC机器学习模型，以基于第二设置值和关于在第二腔室中处理的晶片感测的第二FDC值来生成关于第二腔室中的第二虚拟晶片的第二预测FDC值。

公开(公告)号：CN101026085A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710006595.1

申请日：2007-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆泰 ,  崔哲焕 ,  金暻台 ,  崔准佑

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01J37/18 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00 ,  C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C14/564 ,  F16K1/22 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造设备，该半导体器件制造设备具有真空系统，该真空系统增强了从所述设备的真空室排放的气体的流畅性。该真空系统具有排气管路和节流阀，所述节流阀包括排气管路开关构件，将排气管路开关构件定向，通过排气管路中的集中的气流来容易地打开排气管路开关构件。该真空系统可包括加热气体通过的排气管路的加热单元。另外，在排气管路开关构件的排气管路开关构件上游的弯曲部可具有逐渐弯曲的形状和/或可以包成小于90度的角度。结果，增强了所述处理室的抽真空的效率，这使得控制处理室的压力更容易且使得对节流阀和排气管路的污染最小化。