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公开(公告)号：CN119177446A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202410805223.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物包括氧化剂、酸和选择性蚀刻抑制剂，其中所述氧化剂为不含金属的，所述选择性蚀刻抑制剂包括包含第一重复单元和第二重复单元的共聚物，所述第一重复单元不同于所述第二重复单元，并且所述第一重复单元为含氮的重复单元。
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公开(公告)号：CN118547287A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410201168.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23F1/26 , H01L21/3213 , C23F1/44 , C09K13/06 , C09K13/08
Abstract: 提供用于含钛层的蚀刻组合物、通过使用所述蚀刻组合物蚀刻含钛层的方法和通过使用所述蚀刻组合物制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、无机酸、和选择性蚀刻抑制剂，其中所述无机酸包括基于磷的无机酸、基于氯的无机酸、基于氟的无机酸、或其任意组合，并且所述选择性蚀刻抑制剂包括具有含氮重复单元的聚合物。
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公开(公告)号：CN118108770A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311619450.4
申请日：2023-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，且n1和n2各自独立地为1或2，其中X43为C(R43)，X44为C(R44)，并且R43和R44结合在一起以形成由式2表示的基团；X44为C(R44)，X45为C(R45)，并且R44和R45结合在一起以形成由式2表示的基团；或者X45为C(R45)，X46为C(R46)，并且R45和R46结合在一起以形成由式2表示的基团，环CY4和环CY5稠合在一起，并且式1A、1B、和2中的剩余基团和变量如本文中所描述的。式1M1(L1)n1(L2)n2#imgabs0#
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公开(公告)号：CN114478645A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111239305.4
申请日：2021-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括有机金属化合物的诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示。在式1中，Ln1为由式1‑1表示的配体，Ln2为由式1‑2表示的配体，并且其它取代基和参数如详细描述中所描述的。式1 M1(Ln1)n1(Ln2)n2
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公开(公告)号：CN117466946A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310943236.8
申请日：2023-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M为铱，且L1为由式2‑1表示的配体或由式2‑2表示的配体，其中Y1为N，X11为C(R11)或N，X12为C(R12)或N，X1为O、S、或N‑{(T1)b1‑(Z1)c1}，T1为单键、未被取代或被至少一个R10a取代的C1‑C20亚烷基、未被取代或被至少一个R10a取代的C5‑C30碳环基团、或者未被取代或被至少一个R10a取代的C1‑C30杂环基团，A1‑A4各自独立地为C或N，其中A1‑A4之一为键合至相邻5元环的C，且A1‑A4的另一个为键合至式1中的M的C，且其余取代基团如本文中所定义的。式1M(L1)3
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公开(公告)号：CN115440908A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210630713.0
申请日：2022-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开组合物、包括该组合物的层、包括该组合物的发光器件、和包括该发光器件的电子设备。所述组合物包括第一化合物和第二化合物，其中所述第一化合物为包括铂和结合至其的四齿配体的有机金属化合物，并且所述第二化合物为包括铱的有机金属化合物，μ(Pt)为约0.5德拜至约5.0德拜，μ(Pt)小于μ(Ir)，μ(Pt)为所述第一化合物的偶极矩，μ(Ir)为所述第二化合物的偶极矩，并且μ(Pt)和μ(Ir)各自如本文中所述基于密度泛函理论(DFT)计算。
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公开(公告)号：CN114907414A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210121237.X
申请日：2022-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子装置，所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M、L1、L2、n1和n2可分别通过参考本文中提供的M、L1、L2、n1和n2的描述理解。式1M(L1)n1(L2)n2。
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公开(公告)号：CN116891748A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350734.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/02 , H01L21/3213
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、由式1‑7表示的化合物、由式1‑8表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑8中，CY1、X1至X6、T1、T1a、R2、Z1和a1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115466291A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210659937.4
申请日：2022-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供组合物、包括该组合物的层、包括该组合物的发光器件、和包括该发光器件的电子设备，其中该组合物包括第一化合物和第二化合物，所述第一化合物为由式1表示的有机金属化合物，所述第二化合物为由式2表示的有机金属化合物，所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，|λP(Ir1)‑λP(Ir2)|在0nm至约30nm的范围内，并且说明书中呈现的表达式1至4的至少一个被满足。式1和2中的取代基以及表达式1至4如详细说明中所描述的。
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