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公开(公告)号：CN117917859A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310772438.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供数字信号处理电路、数字滤波器和接收器。所述数字信号处理电路包括：模拟增益补偿器，补偿基带信号的模拟增益以输出补偿后的基带信号，基带信号包括多个分量载波(CC)；模数转换器(ADC)，将补偿后的基带信号转换为第一数字信号；多个滤波电路，从第一数字信号生成多个第二数字信号；以及控制电路。每个滤波电路顺序地执行以下操作：对第一数字信号进行滤波使得所述多个第二数字信号中的相应的一个保留所述多个CC之中的一个CC、补偿数字增益、以及执行下采样。控制电路基于所述多个第二数字信号生成用于控制模拟增益的模拟增益控制信号和用于控制数字增益的数字增益控制信号。
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公开(公告)号：CN1808266B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200510132004.6
申请日：2005-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种光掩模。该掩模包括：透光区域和半透明区域，其中，半透明区域包括多个阻挡光的阻光部分，其中，阻光部分具有阻挡不同量的光的多个区域。通过使用这种类型的光掩模，光阻剂膜的基本上平坦的层能平坦地沉积在不平坦表面的顶部上。平坦的光阻剂膜降低了工艺成本并且提高了面板制造过程的可靠性。
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公开(公告)号：CN101017832A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710004901.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/136 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/1362 , G02F2001/136218 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)基板，该TFT基板可以提高显示质量，并可以使得制造工艺简单。所述TFT基板包括：基板、形成于基板上的栅极图案、栅极绝缘层、有源图案、数据图案、保护层、和像素电极。所述栅极图案包括栅极线、连接至栅极线的栅电极、及导电图案。所述栅极绝缘层覆盖所述栅极图案。所述有源图案设置在所述栅极绝缘层上。所述数据图案设置在所述有源图案上，并包括基本上垂直于所述栅极线延伸的数据线、源电极、及漏电极。所述保护层覆盖所述数据图案。所述像素电极设置在所述基板和所述栅极绝缘层上。所述导电图案用于减小所述像素电极与所述数据线之间的耦合电容。
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公开(公告)号：CN109688620B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201811223297.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了电子装置及其控制方法。一种电子装置包括：所述电子装置包括：天线；通信电路，所述通信电路与所述天线连接；以及一个或更多个处理器，其中，所述一个或更多个处理器被配置为：利用所述通信电路确定与第二时间内通过所述天线输出的第二输出信号相对应的第二功率量，确定所述第二功率量的操作包括确定与所述第二功率量相对应的第二电磁波吸收率的操作；根据目标电磁波吸收率与所述第二电磁吸收率之间的差，确定待通过所述天线输出的第三输出信号的最大输出功率；以及基于至少一个所述最大输出功率，通过所述天线输出所述第三输出信号。
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公开(公告)号：CN115334665A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210313907.8
申请日：2022-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种控制接收信号的信号功率的无线通信装置及其操作方法，所述方法包括：响应于增益控制信号，测量所述接收信号在多个时间点的信号功率；计算所述接收信号在所述多个时间点中的至少一些时间点的信号功率的变化量；并且基于根据所述接收信号的信号功率的所述变化量确定的增益水平来控制所述接收信号的信号功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109688620A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811223297.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了电子装置及其控制方法。一种电子装置包括：所述电子装置包括：天线；通信电路，所述通信电路与所述天线连接；以及一个或更多个处理器，其中，所述一个或更多个处理器被配置为：利用所述通信电路确定与第二时间内通过所述天线输出的第二输出信号相对应的第二功率量，确定所述第二功率量的操作包括确定与所述第二功率量相对应的第二电磁波吸收率的操作；根据目标电磁波吸收率与所述第二电磁吸收率之间的差，确定待通过所述天线输出的第三输出信号的最大输出功率；以及基于至少一个所述最大输出功率，通过所述天线输出所述第三输出信号。
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公开(公告)号：CN1680860B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200510063534.X
申请日：2005-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/786 , G02F1/133 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2001/134345
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器，包括：栅极线，形成在绝缘基片上；数据线，与栅极线绝缘交叉；第一像素电极，栅极线与数据线交叉限定的每一个像素区域形成；薄膜晶体管，分别在栅极线、数据线及第一像素电极上连接栅极、源极及漏极；第一像素电极，形成在各像素区域，并且与漏极连接；第二像素电极，通过连接在漏极上的耦合电极，与第一像素电极电容性结合。根据本发明可以得到具有最小化下侧灰度反转的光视角的液晶显示器。
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公开(公告)号：CN101097928A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126331.X
申请日：2007-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/12 , H01L27/1248
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板以及该TFT阵列基板的制造方法，在所述TFT阵列基板中，在接触部分中提供了导电材料之间足够大的接触面积。所述TFT阵列基板包括设置在绝缘基板上的栅极互连线、覆盖所述栅极互连线的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的半导体层、包括设置在所述半导体层上的数据线、源电极和漏电极的数据互连线、设置在所述数据互连线上并暴露所述漏电极的第一钝化膜、设置在所述第一钝化膜上的第二钝化膜、以及与所述漏电极电连接的像素电极。所述第二钝化膜的外侧壁位于所述第一钝化膜的外侧壁之内。
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公开(公告)号：CN102157451A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110029299.X
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13458 , G02F2001/136231
Abstract: 本发明公开了一种显示基底的制造方法。该方法包括：在基体基底上顺序地形成沟道层和源极金属层；形成包括第一厚度部分和第二厚度部分的第一光致抗蚀剂图案，第一厚度部分形成在源极金属层的接触区域中，第二厚度部分形成在源极金属层的端部区域中，所述端部区域连接到接触区域，第二厚度部分比第一厚度部分薄；利用第一光致抗蚀剂图案将源极金属层和沟道层图案化，以形成接触电极和突出，接触电极在接触区域上，所述突出突出超过接触电极并从接触区域延伸到所述端部区域；在基体基底上形成钝化层；形成透明电极层，透明电极层与接触电极的被暴露的部分接触，通过去除钝化层的与接触电极和所述突出对应的部分来暴露接触电极的所述被暴露的部分。
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公开(公告)号：CN101241918B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810009906.4
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13458 , G02F2001/136231
Abstract: 本发明公开了一种显示基底及该显示基底的制造方法。该显示基底包括：接触电极，设置在开关元件的端部上，开关元件设置在基体基底上；半导体图案，包括突出，所述突出设置在接触电极的下面并突出超过接触电极；透明电极，与接触电极和所述突出接触。
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