公开(公告)号：CN101130553A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710146818.4

申请日：2007-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳利烈 ,  梁贺晋 ,  边煐勋 ,  权五炫

IPC: C07F7/18 ,  C07F7/08 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: C07F7/0838 ,  C07F7/0805 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供芴类化合物，所述芴类化合物包括位于两端的芴或螺芴结构以及位于所述两端之间的包含一个或多个原子的间隔基。本发明还提供具有有机层的有机电致发光器件，在所述有机层中引入了芴类化合物。可采用干法和湿法容易地加工所述芴类化合物，并且使用所述芴类化合物的有机电致发光器件具有优异的色纯度、内部效率和外部效率、热稳定性、光学稳定性以及电学稳定性。

公开(公告)号：CN1767158A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510098014.2

申请日：2005-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰雨 ,  边煐勋 ,  李相润

IPC: H01L21/336 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0021 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0015 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开一种制备薄膜晶体管的方法，其中通过溶液法形成源极和漏极，因而包括电极在衬底上的形成、绝缘体层的形成和有机半导体层的形成的所有阶段，都是通过溶液法进行的。在该方法中，制造过程被简化，制造成本被降低。由于具有高电荷迁移率，所以该有机薄膜晶体管可以应用于需要高速转换的集成电路中。

公开(公告)号：CN1577912A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062148.4

申请日：2004-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相润 ,  朴钟辰 ,  柳利烈 ,  边煐勋 ,  具本原 ,  姜仁男

IPC: H01L51/20 ,  H01L51/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0537

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)，包括：顺序地形成在衬底上的栅电极、栅绝缘膜、有机有源层和源/漏电极，或者栅电极、栅绝缘膜、源/漏电极和有机有源层，其特征在于该栅绝缘膜是多层绝缘体，所述多层绝缘体包含高介电材料的第一层和能与该有机有源层相容的绝缘有机聚合物的第二层，所述第二层被直接放置在该有机有源层之下。本发明所述OTFT显示了低阈值和驱动电压、高电荷迁移率、高Ion/Ioff值，并且，还能通过湿法工艺制备。

公开(公告)号：CN101130553B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200710146818.4

申请日：2007-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳利烈 ,  梁贺晋 ,  边煐勋 ,  权五炫

IPC: C07F7/18 ,  C07F7/08 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: C07F7/0838 ,  C07F7/0805 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供芴类化合物，所述芴类化合物包括位于两端的芴或螺芴结构以及位于所述两端之间的包含一个或多个原子的间隔基。本发明还提供具有有机层的有机电致发光器件，在所述有机层中引入了芴类化合物。可采用干法和湿法容易地加工所述芴类化合物，并且使用所述芴类化合物的有机电致发光器件具有优异的色纯度、内部效率和外部效率、热稳定性、光学稳定性以及电学稳定性。

公开(公告)号：CN100477127C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510098014.2

申请日：2005-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰雨 ,  边煐勋 ,  李相润

IPC: H01L21/336 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0021 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0015 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开一种制备薄膜晶体管的方法，其中通过溶液法形成源极和漏极，因而包括电极在衬底上的形成、绝缘体层的形成和有机半导体层的形成的所有阶段，都是通过溶液法进行的。在该方法中，制造过程被简化，制造成本被降低。由于具有高电荷迁移率，所以该有机薄膜晶体管可以应用于需要高速转换的集成电路中。

公开(公告)号：CN1607685A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410088162.1

申请日：2004-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相润 ,  朴钟辰 ,  柳利烈 ,  具本原 ,  边煐勋 ,  徐银美

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/20

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/04 ,  C08K5/057 ,  C08K5/56 ,  C08L83/04 ,  C09D183/06 ,  H01B3/18 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0537 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663 ,  C08L2666/02

Abstract: 本发明公开了一种用于制造有机绝缘体的组合物，该组合物包括：(i)至少1种有机－无机杂化材料；(ii)至少1种有机金属化合物及/或有机聚合物；(iii)至少1种用于溶解上述2种组分的溶剂，致使采用同样的组合物的有机绝缘体具有低的阈电压和驱动电压、高的电荷载体迁移率和Ion/Ioff比，从而增加了绝缘体特性。另外，可采用湿法进行有机绝缘膜的制造，因此，方法简便、成本降低。

公开(公告)号：CN1607685B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200410088162.1

申请日：2004-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相润 ,  朴钟辰 ,  柳利烈 ,  具本原 ,  边煐勋 ,  徐银美

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/20

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/04 ,  C08K5/057 ,  C08K5/56 ,  C08L83/04 ,  C09D183/06 ,  H01B3/18 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0537 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663 ,  C08L2666/02

Abstract: 本发明公开了一种用于制造有机绝缘体的组合物，该组合物包括：(i)至少1种有机-无机杂化材料；(ii)至少1种有机金属化合物及/或有机聚合物；(iii)至少1种用于溶解上述2种组分的溶剂，致使采用同样的组合物的有机绝缘体具有低的阈电压和驱动电压、高的电荷载体迁移率和Ion/Ioff比，从而增加了绝缘体特性。另外，可采用湿法进行有机绝缘膜的制造，因此，方法简便、成本降低。