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公开(公告)号:CN118825012A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202311501444.9
申请日:2023-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括:衬底,所述衬底包括有源图案;第一半导体图案,所述第一半导体图案位于所述有源图案上;源极/漏极图案,所述源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案;以及栅电极,所述栅电极在第一方向上延伸并且布置在与所述第一方向相交的第二方向上。所述第一半导体图案的第一顶表面包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一拐角和第二拐角。所述第一半导体图案的所述第一顶表面包括连接所述第一拐角和所述第二拐角的第一部分。所述第一半导体图案的所述第一部分的长度大于所述第一拐角和所述第二拐角之间在所述第一方向上的距离。
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公开(公告)号:CN114444249A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202111289296.X
申请日:2021-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/20
Abstract: 一种半导体设计自动化系统包括:仿真器,其被配置为生成仿真数据;恢复模块,其被配置为校正仿真数据的采样错误以生成恢复仿真数据;硬件数据模块,其被配置为生成真实数据;预处理模块,其被配置为对真实数据进行预处理以生成预处理的真实数据;数据库,其被配置为存储恢复仿真数据和预处理的真实数据;第一图形用户界面,其包括自动仿真生成器,该自动仿真生成器被配置为生成恢复仿真数据和预处理的真实数据的机器学习模型并从机器学习模型生成预测的真实数据;以及第二图形用户界面,其包括可视化单元,该可视化单元被配置为从机器学习模型生成可视化的虚拟化工艺结果。
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