公开(公告)号：CN118825012A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202311501444.9

申请日：2023-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  辛荣圭 ,  金秀泰

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；第一半导体图案，所述第一半导体图案位于所述有源图案上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案；以及栅电极，所述栅电极在第一方向上延伸并且布置在与所述第一方向相交的第二方向上。所述第一半导体图案的第一顶表面包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一拐角和第二拐角。所述第一半导体图案的所述第一顶表面包括连接所述第一拐角和所述第二拐角的第一部分。所述第一半导体图案的所述第一部分的长度大于所述第一拐角和所述第二拐角之间在所述第一方向上的距离。

公开(公告)号：CN119153467A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410765115.3

申请日：2024-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁全圆 ,  钱钰博 ,  金秀泰 ,  朴载镛 ,  李珍雨

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，该衬底包括标准单元区域和至少部分地围绕标准单元区域的端接单元区域；第一有源图案，在标准单元区域中；第一布线，在第一方向上延伸并且在第一有源图案上；第一栅电极，在第二方向上延伸并且在第一有源图案上；第一栅极接触部；第二有源图案，在端接单元区域中；第二布线，在第一方向上延伸并且在第二有源图案上；第二栅电极，在第二方向上延伸并且在第二有源图案上；以及第二栅极接触部。

公开(公告)号：CN119277788A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410900306.6

申请日：2024-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  崔虎浚 ,  金秀泰 ,  金慧林 ,  崔胜

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体装置包括：多个有源图案，其分别在衬底上沿第一方向延伸；分离图案，其在衬底上沿第二方向延伸，并将多个有源图案中的每一个分成第一有源图案和第二有源图案，分离图案包括第一分离图案和第二分离图案，第二分离图案从第一分离图案在第一方向上移位以在第二方向上与第一分离图案部分地重叠；第一伪栅极结构和第二伪栅极结构，第一伪栅极结构和第二伪栅极结构分别在分离图案的第一侧和第二侧，并分别沿第一有源图案和第二有源图案的相应端部在第二方向上延伸；以及多个第一栅极结构和多个第二栅极结构，多个第一栅极结构和多个第二栅极结构分别与第一有源图案和第二有源图案的部分交叉，并在第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN115863155A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211170137.2

申请日：2022-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  朴春烨 ,  金秀泰

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：在交替布置的栅极线和栅极间绝缘部分上形成硬掩模层；分别在硬掩模层的与栅极间绝缘部分中的每隔一个栅极间绝缘部分相对应的区域上形成心轴线；在硬掩模层上共形地形成具有与栅极线的宽度相对应的厚度的间隔物材料层；在间隔物材料层上形成心轴材料层；去除心轴材料层的一部分，以暴露间隔物材料层的在心轴线的上表面和侧表面上的部分；去除间隔物材料层的暴露部分以提供心轴线和堆叠的心轴图案；以及使用心轴线和堆叠的心轴图案作为掩模，在硬掩模层中形成开口，该开口暴露栅极线的栅极切割区。

公开(公告)号：CN119486195A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411022598.4

申请日：2024-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  金秀泰

IPC: H10D30/62 ,  H10D84/85

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有第一表面和第二表面；有源图案，在衬底的第一表面上延伸，有源图案具有第一导电类型杂质区域和第二导电类型杂质区域，第一导电类型杂质区域和第二导电类型杂质区域彼此接触；半导体图案，堆叠在有源图案的在第一导电类型杂质区域和第二导电类型杂质区域之间的部分上；非有源栅结构，跨有源图案的在第一导电类型杂质区域和第二导电类型杂质区域之间的部分延伸，非有源栅结构围绕半导体图案；第一接触部，从衬底的第二表面穿过衬底，并连接到第一导电类型杂质区域；以及第二接触部，从衬底的第二表面穿过衬底，并连接到第二导电类型杂质区域。

公开(公告)号：CN118693088A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410107207.2

申请日：2024-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  钱钰博 ,  姜铉在 ,  金庆燮 ,  金秀泰 ,  朴载镛 ,  丁全圆

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种集成电路器件。所述集成电路器件包括设置在基底上的第一导电图案、围绕第一导电图案的一部分并覆盖第一导电图案的侧壁的下部的第二导电图案、在第一导电图案和第二导电图案上的上绝缘结构、以及穿透上绝缘结构并在竖直方向上延伸的上导电图案，其中，上导电图案包括主插塞部分和竖直延伸件，主插塞部分在竖直方向上与第一导电图案和第二导电图案叠置，竖直延伸件从主插塞部分的一部分朝向基底延伸，覆盖第一导电图案的上侧壁的上部，并且在竖直方向上与第二导电图案叠置，虚设接触件形成在基底上的单扩散间断区域上。

公开(公告)号：CN118507483A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410069056.6

申请日：2024-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  崔虎浚 ,  金秀泰

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8249

Abstract: 本公开涉及一种集成电路元件及一种集成电路元件的制造方法。集成电路元件可包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一元件，其在衬底的第一区中并且被配置为产生水平方向上的电场；以及第二元件，其衬底的第二区中并且被配置为产生竖直方向上的电场，其中，衬底的第二区的厚度比第一区的厚度更厚。

公开(公告)号：CN115810630A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210637377.2

申请日：2022-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  吴润世 ,  金柄成 ,  金秀泰 ,  崔胜

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一有源图案，第一有源图案被沟槽分成一对第一有源图案；器件隔离层，填充沟槽；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案上；第一沟道图案，连接到第一源极/漏极图案并包括半导体图案；第一虚设栅电极，在与沟槽的第一侧壁相邻的同时延伸；栅电极，在第一方向上与第一虚设栅电极间隔开并且在穿过第一沟道图案的同时延伸；栅极覆盖图案，位于栅电极上；栅极接触件，结合到栅电极；以及分离图案，在栅电极与第一虚设栅电极之间延伸。分离图案的顶表面与栅极覆盖图案的顶表面处于同一水平。