公开(公告)号：CN112216332B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202010429014.0

申请日：2020-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  吴伦娜 ,  辛昊炫 ,  李载镐

IPC: G11C29/00 ,  G11C29/12

Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个段，设置在多个行块和多个列块的对应的交叉点处，每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元；行解码器，响应于行地址，激活第一行块的第一字线；基于第一熔丝信息确定第一行块是否是主块以及确定第二行块是否被映射为主块的从属；激活第二行块的第二字线并输出行块信息信号；和列解码器，基于列地址、行块信息信号和第二熔丝信息访问结合到第一字线的多个第一存储器单元的部分或结合到第二字线的多个第二存储器单元的部分。

公开(公告)号：CN112216332A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010429014.0

申请日：2020-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  吴伦娜 ,  辛昊炫 ,  李载镐

IPC: G11C29/00 ,  G11C29/12

Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个段，设置在多个行块和多个列块的对应的交叉点处，每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元；行解码器，响应于行地址，激活第一行块的第一字线；基于第一熔丝信息确定第一行块是否是主块以及确定第二行块是否被映射为主块的从属；激活第二行块的第二字线并输出行块信息信号；和列解码器，基于列地址、行块信息信号和第二熔丝信息访问结合到第一字线的多个第一存储器单元的部分或结合到第二字线的多个第二存储器单元的部分。

公开(公告)号：CN117393031A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310374316.6

申请日：2023-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宗哲 ,  申岘昇 ,  辛昊炫 ,  吴台荣 ,  河庆洙

IPC: G11C29/42

Abstract: 半导体存储器件包括存储单元阵列、数据输入/输出(I/O)缓冲器、I/0选通电路和控制逻辑电路。存储单元阵列包括沿第一方向和第二方向布置的多个子阵列块。数据I/0缓冲器通过I/O焊盘与存储控制器交换用户数据。I/O选通电路通过数据总线连接到数据I/O缓冲器，并且通过数据I/O线连接到存储单元阵列，以及基于映射控制信号，对子阵列块与I/O焊盘之间的映射关系进行编程，从而减少由存储控制器中的纠错码引擎检测到的不可纠正的错误。控制逻辑电路基于指示存储控制器的中央处理单元的类型的标识符信息产生映射控制信号。

公开(公告)号：CN115019868A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210205043.8

申请日：2022-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔民淏 ,  林栽成 ,  金经纶 ,  金大贤 ,  裴元一 ,  辛昊炫 ,  郑尚勋 ,  黄炯烈

IPC: G11C29/02

Abstract: 公开了一种电压微调电路、存储器装置和存储器装置的测试方法。该电压微调电路包括：第一电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第一电阻值；第二电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第二电阻值；以及比较器，其被配置为通过将参考电压微调节点的电压电平与反馈节点的电压电平进行比较来输出电压检测信号，其中，当参考电压微调节点的电压电平高于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以增大第一电阻值并且减小第二电阻值，并且当参考电压微调节点的电压电平低于或等于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以减小第一电阻值并且增大第二电阻值。