公开(公告)号：CN111354658A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910821987.6

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相勋 ,  高镛璇 ,  D.H.金 ,  金台宪 ,  文彰燮 ,  沈雨宽 ,  梁准烈 ,  车世浩

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供一种湿蚀刻系统操作方法、利用其形成半导体器件的方法和湿蚀刻系统，其中该湿蚀刻系统操作方法包括：提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置；将第N批基板装载到蚀刻装置中并执行第N蚀刻工艺；排出第N蚀刻溶液中的一些；用从连接到蚀刻装置的供给装置供应的第(N+1)蚀刻溶液再填充蚀刻装置；以及将第(N+1)批基板装载到蚀刻装置中并执行第(N+1)蚀刻工艺，其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内或高于该温度管理范围的温度，以及其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的浓度，N是正整数。

公开(公告)号：CN107919278A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710816716.2

申请日：2017-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光秀 ,  车世浩 ,  高镛璿 ,  金建伶 ,  金坰显 ,  文彰燮 ,  成忠基 ,  宋善重 ,  李轸雨 ,  韩勋

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/67086 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。湿蚀刻方法包括：在工艺槽中提供晶圆，工艺槽在其中容纳蚀刻剂；向工艺槽供应主要蚀刻剂以控制蚀刻剂中的特定材料的浓度；向工艺槽供应第一添加剂以增大蚀刻剂中的特定材料的浓度；以及向工艺槽供应第二添加剂以抑制由蚀刻剂中的特定材料的浓度的增大而导致的缺陷。蚀刻剂包括主要蚀刻剂、第一添加剂和第二添加剂中的至少一种。将第一添加剂和第二添加剂分开地供应到工艺槽。