公开(公告)号：CN113808650A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110289033.2

申请日：2021-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秀雄 ,  赵斗晧 ,  朴商秀 ,  李镕圭

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/24

Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法。该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；页缓冲电路，通过多条位线与存储器单元阵列连接，并且在感测时间期间执行通过所述多条位线感测从所述多个存储器单元选择的存储器单元的感测操作；输入/输出电路，执行通过数据线将数据从页缓冲电路输出到外部装置的数据输出操作；以及感测时间控制电路，当在感测时间期间执行数据输出操作时调整感测时间。

公开(公告)号：CN111179985A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911069538.7

申请日：2019-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵斗晧 ,  姜奎满 ,  边大锡 ,  宋仲镐 ,  尹治元

IPC: G11C7/20 ,  G11C16/20

Abstract: 一种用于初始化包括存储器块的非易失性存储器设备中的通道的方法，该存储器块包括多条字线和多条串选择线，该方法包括向多条串选择线施加电压；将穿过块的位线转换成浮动状态；以及释放位线的浮动状态。