公开(公告)号：CN114496956A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111224190.1

申请日：2021-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载山 ,  禹昇汉 ,  李海硕 ,  权宁天 ,  吴凛

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体结构，包括具有带沟道的有源区的半导体衬底；硅通孔(TSV)结构，包括配置为传送电力的电力TSV和配置为传送信号的信号TSV；以及排除区，位于距所述TSV结构的预定距离处并且由所述有源区界定。所述TSV结构穿透所述半导体衬底。所述排除区包括离所述电力TSV第一距离的第一元件区域和离所述信号TSV第二距离的第二元件区域。

公开(公告)号：CN110265383B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201910121505.6

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹昇汉 ,  柳济民 ,  吴凛 ,  吴文熙 ,  李范锡

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/28

Abstract: 提供了半导体管芯和包括其的半导体器件。该半导体管芯可以包括：第一延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第一延迟电路包括串联连接的第一延迟级；第二延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第二延迟电路包括串联连接的第二延迟级；至少一个穿通硅通路，连接到第一延迟级的输出端子中的至少一个输出端子，所述至少一个穿通硅通路贯穿基板；以及负载确定装置，配置为将从第一延迟级中的一个输出的第一延迟信号与从第二延迟级中的一个输出的第二延迟信号相比较，并且确定所述至少一个穿通硅通路的负载。

公开(公告)号：CN110098163B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201811580255.4

申请日：2018-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢寿政 ,  吴致成 ,  孙教民 ,  金勇基 ,  文钟淏 ,  禹昇汉 ,  尹载允

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

公开(公告)号：CN110265383A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910121505.6

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹昇汉 ,  柳济民 ,  吴凛 ,  吴文熙 ,  李范锡

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/28

Abstract: 提供了半导体管芯和包括其的半导体器件。该半导体管芯可以包括：第一延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第一延迟电路包括串联连接的第一延迟级；第二延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第二延迟电路包括串联连接的第二延迟级；至少一个穿通硅通路，连接到第一延迟级的输出端子中的至少一个输出端子，所述至少一个穿通硅通路贯穿基板；以及负载确定装置，配置为将从第一延迟级中的一个输出的第一延迟信号与从第二延迟级中的一个输出的第二延迟信号相比较，并且确定所述至少一个穿通硅通路的负载。

公开(公告)号：CN110098163A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201811580255.4

申请日：2018-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢寿政 ,  吴致成 ,  孙教民 ,  金勇基 ,  文钟淏 ,  禹昇汉 ,  尹载允

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供了一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。