公开(公告)号：CN110098163B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201811580255.4

申请日：2018-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢寿政 ,  吴致成 ,  孙教民 ,  金勇基 ,  文钟淏 ,  禹昇汉 ,  尹载允

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

公开(公告)号：CN110098163A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201811580255.4

申请日：2018-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢寿政 ,  吴致成 ,  孙教民 ,  金勇基 ,  文钟淏 ,  禹昇汉 ,  尹载允

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供了一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。