公开(公告)号：CN101257023B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200810080578.7

申请日：2008-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英洙 ,  丁炯硕 ,  许成 ,  白贤锡

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966

Abstract: 示例实施例提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)半导体装置和一种制造该CMOS半导体装置的方法。所述CMOS半导体装置可以包括：栅极，在nMOS区域和pMOS区域中；多晶硅覆盖层；金属氮化物层，在多晶硅覆盖层之下；栅极绝缘层，在栅极之下。nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成，并可以具有不同的逸出功。因为金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成，所以可以简化工艺，可以增加产量，并可以获得更高性能的CMOS半导体装置。

公开(公告)号：CN1996614A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610171763.8

申请日：2006-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白贤锡 ,  李银河 ,  丁炫硕 ,  韩成基 ,  梁旼镐

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28556 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种防止栅电极劣化和栅极电流泄漏的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：在半导体衬底上的包括H－k(高介电常数)材料的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的包括铝合金的阻挡金属层；以及，形成在阻挡金属层上的栅电极层。示例性地，该阻挡金属层包括TaAlN(氮化钽铝)或TiAlN(氮化钛铝)中的至少一种。阻挡金属层可以包括抗氧化材料从而防止后续的氧气氛中半导体器件的退火期间阻挡金属层的氧化。因此，防止了栅电极的劣化，并防止了栅电极劣化所致的栅极电流泄漏。

公开(公告)号：CN1574365A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410034356.3

申请日：2004-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  白贤锡 ,  金纯澔 ,  崔在荣

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明，叠层型电容器包括一下电极、一形成在下电极上的介电层以及一形成在介电层上的上电极。下电极包括一圆柱形第一金属层和一填充在第一金属层内的第二金属层。在该电容器中，下电极中含氧量降低，抑制了对TiN的氧化。因而，可形成稳定的叠层型电容器，其可极大地改善高集成度DRAM的性能。

公开(公告)号：CN101257023A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810080578.7

申请日：2008-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英洙 ,  丁炯硕 ,  许成 ,  白贤锡

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966

Abstract: 示例实施例提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)半导体装置和一种制造该CMOS半导体装置的方法。所述CMOS半导体装置可以包括：栅极，在nMOS区域和pMOS区域中；多晶硅覆盖层；金属氮化物层，在多晶硅覆盖层之下；栅极绝缘层，在栅极之下。nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成，并可以具有不同的逸出功。因为金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成，所以可以简化工艺，可以增加产量，并可以获得更高性能的CMOS半导体装置。