-
公开(公告)号：CN118804596A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311545566.8
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置、半导体装置的制造方法和电子系统。半导体装置包括接合电路和单元区。单元区包括衬底、基底存储器部和接合存储器部。在此，基底存储器部包括：位于衬底上并且具有第一表面和第二表面的第一栅极堆叠结构，穿透第一栅极堆叠结构的第一沟道结构，以及位于第二表面上并且连接到第一沟道结构的基底接合焊盘。接合存储器部包括：具有接合到基底存储器部的第三表面和接合到电路区的第四表面的第二栅极堆叠结构，穿透第二栅极堆叠结构的第二沟道结构，在第三表面中连接到第二沟道结构并接合到基底接合焊盘的第一接合焊盘，以及在第四表面中连接到第二沟道结构并接合到电路区的第二接合焊盘。
-
公开(公告)号：CN113053910A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011515121.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L25/18
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：绝缘结构；多个水平层，在绝缘结构中竖直堆叠且彼此间隔开；导电材料图案，接触绝缘结构；以及竖直结构，穿透通过所述多个水平层并且延伸到绝缘结构上的导电材料图案中。所述多个水平层中的每个包括导电材料，竖直结构包括竖直部分和突出部分，竖直结构的竖直部分穿透通过所述多个水平层，竖直结构的突出部分从竖直部分延伸到导电材料图案中，竖直部分的宽度比突出部分的宽度大，突出部分的侧表面与导电材料图案接触。
-
公开(公告)号：CN119072132A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410597356.1
申请日：2024-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路结构；和单元结构，所述单元结构堆叠在所述外围电路结构上并且包括单元区域、连接区域和外围电路连接区域，其中，所述单元结构包括：栅电极，所述栅电极在所述单元区域中在垂直方向上相互间隔开；沟道结构，所述沟道结构在所述垂直方向上延伸通过所述栅电极，位于所述单元区域中，并且包括第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，所述第一端部接近所述外围电路结构；绝缘壁，所述绝缘壁在所述单元区域与所述连接区域之间的边界处在所述垂直方向上延伸；和公共源极层，所述公共源极层在所述单元区域中连接到所述沟道结构的所述第二端部，并且具有布置在所述绝缘壁的侧壁上的部分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118714849A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410334553.4
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括：第一半导体结构，其包括在第一衬底上的电路元件、在电路元件上的下互连结构、以及在下互连结构上的下接合结构；以及第二半导体结构，其包括：在第一半导体结构上的第二衬底、分隔第二衬底并且被设置为彼此间隔开的分隔绝缘图案、堆叠以彼此间隔开的栅电极、穿过栅电极并且被设置为彼此间隔开的分隔区域、穿过栅电极的沟道结构、在栅电极下方的上互连结构、以及接合到下接合结构的上接合结构，其中，分隔绝缘图案包括在分隔区域上的第一分隔绝缘图案、以及在沟道结构之间并穿过第二衬底的第二分隔绝缘图案。
-
公开(公告)号：CN105304633B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201510434637.6
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/11517 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板、堆叠结构、外围栅极结构和剩余间隔件。基板包括单元阵列区和外围电路区。堆叠结构设置在单元阵列区上，具有交替地堆叠的电极和绝缘层。外围栅极结构设置在外围电路区上，沿一个方向彼此分隔开并且具有设置在基板上的外围栅极图案和设置在外围栅极图案的侧壁上的外围栅极间隔件。剩余间隔件设置在外围栅极结构的侧壁上，具有堆叠的牺牲图案和绝缘图案。绝缘图案包括与堆叠结构的绝缘层的材料基本相同的材料。
-
公开(公告)号：CN115036297A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210061866.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065
Abstract: 一种半导体芯片结构包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一芯片区域和第一划线道区域；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括分别接合到所述第一芯片区域和所述第一划线道区域的第二芯片区域和第二划线道区域。所述第一半导体芯片包括第一接合布线层，所述第一接合布线层包括第一接合绝缘层和位于第一接合绝缘层中的第一接合电极。所述第二半导体芯片包括第二接合布线层，所述第二接合布线层包括第二接合绝缘层和位于所述第二接合绝缘层和抛光停止图案中的第二接合电极。所述第一接合布线层的所述第一接合绝缘层和所述第一接合电极分别混合接合到所述第二接合布线层的所述第二接合绝缘层和所述第二接合电极。
-
公开(公告)号：CN113851448A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110709426.4
申请日：2021-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本公开提供半导体器件、器件和封装。该器件包括：基板；在基板上的外围电路和第一接合焊盘；围绕第一接合焊盘的侧表面的第一绝缘结构；接触第一接合焊盘的第二接合焊盘；在第一绝缘结构上的第二绝缘结构；在第二绝缘结构上的钝化层；上绝缘结构，在钝化层和第二绝缘结构之间；阻挡盖层，在上绝缘结构和钝化层之间；导电图案，在上绝缘结构中彼此间隔开；第一图案结构，在上绝缘结构和第二绝缘结构之间；堆叠结构，在第二绝缘结构和第一图案结构之间，并包括栅极层；以及垂直结构，穿过堆叠结构并包括数据存储结构和沟道层。
-
公开(公告)号：CN105304633A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510434637.6
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板、堆叠结构、外围栅极结构和剩余间隔件。基板包括单元阵列区和外围电路区。堆叠结构设置在单元阵列区上，具有交替地堆叠的电极和绝缘层。外围栅极结构设置在外围电路区上，沿一个方向彼此分隔开并且具有设置在基板上的外围栅极图案和设置在外围栅极图案的侧壁上的外围栅极间隔件。剩余间隔件设置在外围栅极结构的侧壁上，具有堆叠的牺牲图案和绝缘图案。绝缘图案包括与堆叠结构的绝缘层的材料基本相同的材料。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.039 seconds)
