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公开(公告)号：CN105206613B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510350640.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563
Abstract: 公开了一种垂直存储器件和制造垂直存储器件的方法。该垂直存储器件包括基板、多个沟道、电荷存储结构、多个栅电极、第一半导体结构和保护层图案。基板包括第一区域和第二区域。多个沟道设置在第一区域中。多个沟道在实质上垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸。电荷存储结构设置在每个沟道的侧壁上。多个栅电极布置在电荷存储结构的侧壁上且在第一方向上彼此间隔开。第一半导体结构设置在第二区域中。保护层图案覆盖第一半导体结构。保护层图案具有与最下面的栅电极的厚度实质上相同的厚度。
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公开(公告)号：CN105206613A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510350640.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11573 , H01L27/11575
Abstract: 公开了一种垂直存储器件和制造垂直存储器件的方法。该垂直存储器件包括基板、多个沟道、电荷存储结构、多个栅电极、第一半导体结构和保护层图案。基板包括第一区域和第二区域。多个沟道设置在第一区域中。多个沟道在实质上垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸。电荷存储结构设置在每个沟道的侧壁上。多个栅电极布置在电荷存储结构的侧壁上且在第一方向上彼此间隔开。第一半导体结构设置在第二区域中。保护层图案覆盖第一半导体结构。保护层图案具有与最下面的栅电极的厚度实质上相同的厚度。
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公开(公告)号：CN107925158B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201680047772.8
申请日：2016-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备和一种操作电子设备的方法。所述电子设备包括：壳体，所述壳体包括第一面和第二面，所述第二面面向与所述第一面相反的方向；显示器，所述显示器通过所述壳体的所述第一面暴露；地构件，所述地构件布置在所述第一面与所述第二面之间；天线辐射器，所述天线辐射器至少部分地布置在所述壳体内和/或在所述壳体的一部分上；通信电路，所述通信电路电连接至所述天线辐射器；导电构件，所述导电构件布置在所述壳体内或形成所述壳体的所述第二面的一部分；以及控制电路，所述控制电路电连接至所述地构件和所述导电构件，其中，所述控制电路被配置用于：如果所述天线辐射器和所述通信电路彼此电连接，则将所述导电构件选择性地连接到所述地构件。
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公开(公告)号：CN106169477A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610341241.1
申请日：2016-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11573 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11521 , H01L27/11526
Abstract: 本发明提供一种存储器件，该存储器件包括单元区域和邻近单元区域的外围电路区域。多个栅电极层和绝缘层层叠在衬底上于单元区域中，并且多个电路器件在外围电路区域中。第一层间绝缘层在衬底上于外围电路区域中并且覆盖所述多个电路器件，第二层间绝缘层在衬底上于单元区域和外围电路区域中。阻挡层在所述多个电路器件上于第一和第二层间绝缘层之间。阻挡层在第一层间绝缘层的上表面上，阻挡层的一侧表面由第二层间绝缘层覆盖。
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公开(公告)号：CN105304633A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510434637.6
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板、堆叠结构、外围栅极结构和剩余间隔件。基板包括单元阵列区和外围电路区。堆叠结构设置在单元阵列区上，具有交替地堆叠的电极和绝缘层。外围栅极结构设置在外围电路区上，沿一个方向彼此分隔开并且具有设置在基板上的外围栅极图案和设置在外围栅极图案的侧壁上的外围栅极间隔件。剩余间隔件设置在外围栅极结构的侧壁上，具有堆叠的牺牲图案和绝缘图案。绝缘图案包括与堆叠结构的绝缘层的材料基本相同的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105280560A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510276296.4
申请日：2015-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/8239
Abstract: 提供了一种制造存储器装置的方法以及制造电子装置的方法，所述制造存储器装置的方法包括：设置基底；在单元区域中形成沿垂直于基底的上表面的方向延伸的通道、交替地堆叠在基底上以邻近于通道的多个栅电极层和多个绝缘层；在设置在单元区域的外围的外围电路区域处的基底上形成多个电路元件；以及在位于单元区域和外围电路区域中的基底上形成层间绝缘层，层间绝缘层包括覆盖所述多个电路元件和所述多个栅电极层的至少一部分的第一(底)层间绝缘层以及设置在第一层间绝缘层上的第二(顶)层间绝缘层。
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公开(公告)号：CN110544696A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910744071.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了存储器装置和制造存储器装置的方法，所述存储器装置包括：多个栅电极层，堆叠在基底的上表面上；多个通道，在垂直于基底的上表面的方向上延伸穿过所述多个栅电极层；多个电路元件，设置在所述多个栅电极层的外围区域中；以及层间绝缘层，包括仅设置在外围区域中并覆盖所述多个电路元件的第一层间绝缘层以及覆盖第一层间绝缘层和所述多个栅电极层的至少一部分的第二层间绝缘层。
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公开(公告)号：CN107925158A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047772.8
申请日：2016-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备和一种操作电子设备的方法。所述电子设备包括：壳体，所述壳体包括第一面和第二面，所述第二面面向与所述第一面相反的方向；显示器，所述显示器通过所述壳体的所述第一面暴露；地构件，所述地构件布置在所述第一面与所述第二面之间；天线辐射器，所述天线辐射器至少部分地布置在所述壳体内和/或在所述壳体的一部分上；通信电路，所述通信电路电连接至所述天线辐射器；导电构件，所述导电构件布置在所述壳体内或形成所述壳体的所述第二面的一部分；以及控制电路，所述控制电路电连接至所述地构件和所述导电构件，其中，所述控制电路被配置用于：如果所述天线辐射器和所述通信电路彼此电连接，则将所述导电构件选择性地连接到所述地构件。
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公开(公告)号：CN106662844A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044555.9
申请日：2015-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了实现以防止由于金属机械部分导致的辐射性能的恶化的天线器件和包括其的电子装置。该电子装置包括：设置在电子装置的至少一个区域中的以环形形状的金属部件，和用于向金属部件的预设位置供应功率以将金属部件用作天线辐射体的基板(印刷电路板(PCB))，其中，不同于功率供应位置的该金属部件的至少一个位置通过基板接地。
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公开(公告)号：CN110544696B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201910744071.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器装置和制造存储器装置的方法，所述存储器装置包括：多个栅电极层，堆叠在基底的上表面上；多个通道，在垂直于基底的上表面的方向上延伸穿过所述多个栅电极层；多个电路元件，设置在所述多个栅电极层的外围区域中；以及层间绝缘层，包括仅设置在外围区域中并覆盖所述多个电路元件的第一层间绝缘层以及覆盖第一层间绝缘层和所述多个栅电极层的至少一部分的第二层间绝缘层。
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