公开(公告)号：CN118119178A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311073227.4

申请日：2023-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑明勋 ,  申东花 ,  吕晟溱 ,  柳镐仁

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置可包括：衬底，其包括在第一方向上按次序布置的核区、单元块区和外围区；以及单元块区上的位线结构。位线结构可以包括：第一位线和第二位线，其在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此邻近；位线连接器，其将第一位线和第二位线电连接并且邻近于外围区；以及位线焊盘，其电连接至第一位线，并且邻近于核区。

公开(公告)号：CN116528582A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211709125.2

申请日：2022-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁贤玉 ,  申东花 ,  柳镐仁 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，基底包括存储器单元区域、外围电路区域以及在存储单元区域与外围电路区域之间的边界区域；第一有源图案，在存储器单元区域中，第一有源图案中的每个在倾斜于第一方向的第三方向上延伸；以及硅坝结构，在边界区域中。硅坝结构可以包括包含在倾斜方向上延伸的沟槽线的硅坝图案和在沟槽线中的坝隔离图案。

公开(公告)号：CN118742026A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311700611.2

申请日：2023-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑明勋 ,  禹奎媛 ,  申东花 ,  吕晟溱 ,  柳镐仁

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上彼此相邻的单元块区域和外围区域；第一有源图案和第二有源图案，其在所述单元块区域上在不同于所述第一方向的第二方向上彼此相邻；第一位线，其在所述第一有源图案上在所述第一方向上延伸；第二位线，其在所述第二有源图案上在所述第一方向上延伸；位线连接件，其将所述第一位线与所述第二位线彼此连接并且与所述外围区域相邻；内部间隔物，其位于所述位线连接件的内表面上；以及外部间隔物，其位于所述位线连接件的外表面上。所述内部间隔物在所述位线连接件的所述内表面上延伸(例如，覆盖其)，并且延伸到(例如，连续地延伸到)所述第一位线的内表面和所述第二位线的内表面上。

公开(公告)号：CN115996566A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211076642.0

申请日：2022-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金硕炫 ,  金冈昱 ,  金永信 ,  金真雅 ,  申东花

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源单元区域、边界区域和在其间的虚设单元区域；位线，设置在有源单元区域上，在第一方向上延伸，并在第二方向上彼此间隔开，位线包括在第二方向上交替布置的第一位线和第二位线；位线垫，在边界区域上在第二方向上彼此间隔开，第二位线在第一方向上延伸到虚设单元区域和边界区域，并分别连接到位线垫；以及绝缘分离图案，在边界区域上并且在位线垫之间。绝缘分离图案的一部分延伸到在边界区域上在第二位线之间的区域中，并与对应的第一位线的端部接触。