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公开(公告)号：CN1964053B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200610142807.4
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522 , G11C16/02
CPC classification number: G11C23/00 , B82Y10/00 , G11C13/025 , Y10S977/742 , Y10S977/784
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。
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公开(公告)号：CN101025924B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710092339.9
申请日：2007-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/6005
Abstract: 公开了一种用于硬盘驱动器的头滑动件。该滑动件包括与读/写头联接并适于根据温度改变读/写头和盘之间的悬浮高度的操作装置。操作装置可以由随温度变化膨胀和收缩以改变悬浮高度的材料或者由随温度变化弯曲变形以改变悬浮高度的材料形成。
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公开(公告)号：CN101034555B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200710100686.1
申请日：2007-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/4826
Abstract: 提供一种硬盘驱动器致动器的悬置组件，用于防止与驱动器的数据存储盘片发生碰撞。悬置组件包括：承载梁；具有将托架耦接到承载梁的后端和弯曲部分的托架；连接到托架并承载硬盘驱动器的读/写头的滑动件；和限制机构，其可在操作期间选择性地将托架的对应部分与承载梁连接和断开。该承载梁具有向托架凸起并且通常与托架的第一表面接触的凹部。滑动件连接到与第一表面相对的托架的第二表面。从盘片卸载读/写头时，限制结构将支承滑动件的托架部分连接到承载梁。因此，抑制了卸载操作时滑动件的抖动。另外，读/写操作期间，支承滑动件的托架部分与承载梁脱离，以允许滑动件围绕凹部更自由地倾斜和横摇。
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公开(公告)号：CN101034708A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610172554.5
申请日：2006-12-31
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔国立大学校产学协力财团
IPC: H01L27/115 , H01L23/522 , H01L21/8247 , H01L21/768 , G11C16/02 , G11C13/00
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/16 , H01L51/0048 , Y10S977/943
Abstract: 本发明提供了一种存储器件及其制造方法。该存储器件包括：衬底；第一电极，形成在衬底上；第一纳米线，从第一电极末端延伸预定长度；第二电极，在第一电极上以交叠所述第一电极；和第二纳米线，在与第一纳米线相同的方向从相应于第一电极末端的第二电极末端延伸预定长度，其中在所述第一和第二电极之间存在绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102394110A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110272489.4
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C23/00 , B82Y10/00 , G11C13/025 , Y10S977/742 , Y10S977/784
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。
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公开(公告)号：CN1996491B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200610143558.0
申请日：2006-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0069 , G11C23/00 , G11C2013/009 , G11C2213/16 , H01L51/0048 , Y10S977/709 , Y10S977/724 , Y10S977/752 , Y10S977/943
Abstract: 本发明提供一种使用多层碳纳米管的非易失性碳纳米管存储器及其操作方法。该非易失性存储器包括：基底；形成在基底上的第一电极；形成在第一电极上且彼此间隔的第一和第二垂直壁；形成在第一和第二垂直壁之间的第一电极上的多层碳纳米管；分别设置在第一和第二垂直壁处的第二和第三电极；以及设置在多层碳纳米管上方的第四电极。
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公开(公告)号：CN1996491A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610143558.0
申请日：2006-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0069 , G11C23/00 , G11C2013/009 , G11C2213/16 , H01L51/0048 , Y10S977/709 , Y10S977/724 , Y10S977/752 , Y10S977/943
Abstract: 本发明提供一种使用多层碳纳米管的非易失性碳纳米管存储器及其操作方法。该非易失性存储器包括：基底；形成在基底上的第一电极；形成在第一电极上且彼此间隔的第一和第二垂直壁；形成在第一和第二垂直壁之间的第一电极上的多层碳纳米管；分别设置在第一和第二垂直壁处的第二和第三电极；以及设置在多层碳纳米管上方的第四电极。
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公开(公告)号：CN1822155A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610000504.9
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/00
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q80/00
Abstract: 本发明提供了一种用于数据存储设备的探针。该探针包括在探针的针尖上形成的涂层，其中，针尖的尖端被暴露，并且涂层和尖端相对于记录介质形成预定的接触区域。另外，探针还可包括形成在涂层和探针的针尖之间的绝缘层。涂层、绝缘层和针尖的尖端相对于记录介质具有预定的接触区域。因此，探针通过利用锐型针尖可获得高分辨能力，同时可降低针尖的尖端的磨损程度，从而具有优良的耐久性。
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公开(公告)号：CN102394110B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110272489.4
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C23/00 , B82Y10/00 , G11C13/025 , Y10S977/742 , Y10S977/784
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。
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