公开(公告)号：CN102394110A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110272489.4

申请日：2006-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳震奎 ,  李秀一

IPC: G11C23/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G11C23/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/784

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。

公开(公告)号：CN1964053B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200610142807.4

申请日：2006-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳震奎 ,  李秀一

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C23/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/784

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。

公开(公告)号：CN102394110B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110272489.4

申请日：2006-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳震奎 ,  李秀一

IPC: G11C23/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G11C23/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/784

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。

公开(公告)号：CN1964053A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610142807.4

申请日：2006-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳震奎 ,  李秀一

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C23/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/784

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。