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公开(公告)号：CN100524697C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510118196.5
申请日：2005-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/75
Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。
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公开(公告)号：CN1790675A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118196.5
申请日：2005-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/75
Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。
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公开(公告)号：CN1873987A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610089977.0
申请日：2006-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/02 , H01L27/00 , H01L29/94 , H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00
CPC classification number: H01L28/75 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/90
Abstract: 在具有半导体－绝缘体－金属(SIM)结构的电容器中，可以将上电极形成为包括多晶半导体族IV材料的多层结构。介质层可包括金属氧化物，以及下电极可包括基于金属的材料。因此，电容器可以具有足够小的等效氧化物厚度(EOT)和/或可具有改进的电流漏泄特性。
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公开(公告)号：CN1767171A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510099582.4
申请日：2005-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L28/91
Abstract: 通过在第一结构上淀积金属氧化物材料以及退火该淀积的金属氧化物材料，在第一结构上形成刻蚀停止层。在刻蚀停止层上形成第二结构，以及使用刻蚀停止层作为刻蚀停止，通过第二结构刻蚀形成部分。
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