公开(公告)号：CN110310916A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910063017.4

申请日：2019-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹玟锡 ,  李载晛 ,  李钟汉 ,  朴洪培

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，通过隔离沟槽彼此隔离，并且分别在基底上沿第一方向延伸；第三鳍型图案，在第二方向上与第一鳍型图案和第二鳍型图案分隔开并且在第一方向上延伸；场绝缘膜，位于第一鳍型图案至第三鳍型图案的侧壁的一部分上；器件隔离结构，在第二方向上延伸并且位于隔离沟槽中；栅极绝缘支撑件，在场绝缘膜上沿第一方向延伸并且位于第一鳍型图案与第三鳍型图案之间；栅极结构，与第三鳍型图案交叉，在第二方向上延伸并且与栅极绝缘支撑件接触，其中，从基底到栅极结构的底表面的高度比从基底到栅极绝缘支撑件的底表面的高度大。

公开(公告)号：CN114078843A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110907987.5

申请日：2021-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋成镐 ,  李钟汉 ,  朴钟河 ,  李载晛 ,  白种勋 ,  郑大木

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括沿第一方向的第一区域和第二区域、以及在第一区域和第二区域之间的第三区域；有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第一栅电极至第三栅电极，在有源图案上彼此间隔开并且沿第二方向延伸，第一区域的有源图案包括彼此间隔开并且穿透第一栅电极的第一半导体图案，第二区域的有源图案包括彼此间隔开并且穿透第二栅电极的第二半导体图案，第三区域的有源图案包括过渡图案，过渡图案从衬底突出并且与第三栅电极相交，并且过渡图案包括牺牲图案和第三半导体图案，牺牲图案和第三半导体图案交替堆叠在第三区域上并且包括彼此不同的材料。

公开(公告)号：CN110880504B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910792589.6

申请日：2019-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成华 ,  朴洪培 ,  李载晛 ,  李钟汉 ,  郑多福 ,  曺玟锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一栅极图案和第二栅极图案，所述第一栅极图案和所述第二栅极图案位于衬底上并且彼此间隔开；以及将所述第一栅极图案与所述第二栅极图案彼此分隔开的分隔图案。所述第一栅极图案包括第一高k介电图案和位于所述第一高k介电图案上的第一含金属图案，所述第一含金属图案覆盖所述第一高k介电图案的侧壁。所述第二栅极图案包括第二高k介电图案和位于所述第二高k介电图案上的第二含金属图案，并且所述分隔图案与所述第一含金属图案直接接触，而与所述第一高k介电图案间隔开。

公开(公告)号：CN110880504A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910792589.6

申请日：2019-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成华 ,  朴洪培 ,  李载晛 ,  李钟汉 ,  郑多福 ,  曺玟锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一栅极图案和第二栅极图案，所述第一栅极图案和所述第二栅极图案位于衬底上并且彼此间隔开；以及将所述第一栅极图案与所述第二栅极图案彼此分隔开的分隔图案。所述第一栅极图案包括第一高k介电图案和位于所述第一高k介电图案上的第一含金属图案，所述第一含金属图案覆盖所述第一高k介电图案的侧壁。所述第二栅极图案包括第二高k介电图案和位于所述第二高k介电图案上的第二含金属图案，并且所述分隔图案与所述第一含金属图案直接接触，而与所述第一高k介电图案间隔开。

公开(公告)号：CN110310916B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201910063017.4

申请日：2019-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹玟锡 ,  李载晛 ,  李钟汉 ,  朴洪培

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，通过隔离沟槽彼此隔离，并且分别在基底上沿第一方向延伸；第三鳍型图案，在第二方向上与第一鳍型图案和第二鳍型图案分隔开并且在第一方向上延伸；场绝缘膜，位于第一鳍型图案至第三鳍型图案的侧壁的一部分上；器件隔离结构，在第二方向上延伸并且位于隔离沟槽中；栅极绝缘支撑件，在场绝缘膜上沿第一方向延伸并且位于第一鳍型图案与第三鳍型图案之间；栅极结构，与第三鳍型图案交叉，在第二方向上延伸并且与栅极绝缘支撑件接触，其中，从基底到栅极结构的底表面的高度比从基底到栅极绝缘支撑件的底表面的高度大。

公开(公告)号：CN112018169A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010111620.8

申请日：2020-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载晛 ,  李钟汉 ,  朴成华 ,  朴钟河 ,  禹宰勋 ,  郑多福

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种集成电路半导体装置，包括：第一区域，其包括第一晶体管；以及第二区域，其在第二方向上与第一区域接触。第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一有源鳍、在第二方向上从第一有源鳍延伸到第一隔离层上的第一栅极电介质层、以及在第一栅极电介质层上的第一栅电极。第二区域包括第二晶体管，第二晶体管包括在第一方向上延伸的第二有源鳍、在第二方向上从第二有源鳍延伸到第二隔离层上的第二栅极电介质层、以及在第二栅极电介质层上的第二栅电极。该集成电路半导体装置包括栅极电介质层去除区域，该栅极电介质层去除区域临近第一区域和第二区域之间的边界。