公开(公告)号：CN112670288A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011096938.X

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安在昊 ,  黄盛珉 ,  任峻成 ,  康范圭 ,  李相炖

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：模制结构，该模制结构包括在衬底上的多个栅电极，所述多个栅电极包括顺序地堆叠在衬底上的第一串选择线、第二串选择线和第三串选择线；沟道结构，其穿透模制结构并与每个栅电极相交；第一切割区域，其切割每个栅电极；第二切割区域，其在第一方向上与第一切割区域间隔开，并且切割每个栅电极；第一切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第一串选择线；第二切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第二串选择线；以及第三切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第三串选择线。

公开(公告)号：CN115643759A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210842795.5

申请日：2022-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相炖 ,  金俊成 ,  金智源 ,  金宰浩 ,  成锡江 ,  李钟旻 ,  郑恩宅

IPC: H10B41/10 ,  H10B41/41 ,  H10B41/20 ,  H10B43/10 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  H10B20/20

Abstract: 公开了半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括：堆叠结构，在第一方向上延伸并且包括垂直堆叠在基板上的栅电极；在堆叠结构上水平间隔开的选择结构；上隔离结构，在选择结构之间并在堆叠结构上沿第一方向延伸；以及穿透堆叠结构和选择结构的垂直结构。垂直结构包括第一垂直结构，该第一垂直结构沿第一方向排列并且穿透上隔离结构的部分。每个选择结构包括选择栅电极和围绕选择栅电极的顶表面、底表面和侧壁表面的水平电介质图案。每个选择栅电极包括在第一方向上延伸的线部分、以及从线部分垂直突出并围绕每个第一垂直结构的至少一部分的电极部分。

公开(公告)号：CN115968201A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211220385.3

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  成锡江 ,  李相炖 ,  郑恩宅

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/35

Abstract: 一种竖直非易失性存储器装置包括：基板；接触栅极堆叠结构，其包括在竖直方向上堆叠在基板上的多条栅极线，竖直方向垂直于基板的表面；多个绝缘层，其在多条栅极线之间；多个分离绝缘层，其在接触孔的两侧处在水平方向上分别与多条栅极线中的每一条的突出端接触，其中，接触孔在接触栅极堆叠结构中在竖直方向上延伸，使得多条栅极线的突出端从接触孔的内壁突出，水平方向平行于基板的表面；以及接触电极，其在接触孔处并且电连接到多条栅极线当中的最上栅极线。

公开(公告)号：CN115701221A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210411018.5

申请日：2022-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩宅 ,  金宰浩 ,  金俊成 ,  金智源 ,  成锡江 ,  李相炖 ,  李钟旻

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  G11C11/401

Abstract: 提供了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：电极结构，所述电极结构包括堆叠在基板上的电极和位于所述电极中的最上电极上的绝缘图案；垂直结构，所述垂直结构穿透所述电极结构并且连接到所述基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述电极和所述垂直结构上；导电图案，所述导电图案穿透所述第一绝缘层并且连接到所述垂直结构；上水平电极，所述上水平电极位于所述导电图案上；以及上半导体图案，所述上半导体图案穿透所述上水平电极并且连接到所述导电图案。所述导电图案具有位于所述垂直结构上的第一侧表面和位于所述绝缘图案上的第二侧表面。