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公开(公告)号：CN113273165B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202080008033.4
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/02
Abstract: 一种电子装置包括：外壳，该外壳包括第一板、背对第一板的第二板以及围绕第一板和第二板之间的空间的侧构件；通过第一板的至少一部分可见的显示器；以及构成第二板的至少一部分的玻璃构造。玻璃构造包括：玻璃板，该玻璃板包括向外面对外壳的第一面和背对第一面的第二面；无机层，包括第一粗糙度并被构造在第一面上；第一聚合物层，设置在第一板和第二面之间；光学透明粘合剂(OCA)层，设置在第二面和第一聚合物层之间；以及第二聚合物层，设置在第一板和第一聚合物层之间并包括第三面和第四面。
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公开(公告)号：CN1229669C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02125133.9
申请日：2002-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F2001/133337 , G02F2001/133388 , G02F2001/133397 , G09G3/3648 , G09G2330/08 , G09G2330/10
Abstract: 液晶显示器中，在第一基底上提供多个栅线和数据线，第一基底包括作为屏幕的显示区域和显示区域外部的周边区域。在第一基底上也提供多个电气连接到栅线和数据线的像素电极。一些像素电极延伸到周边区域内。在与第一基底相对的第二基底上形成黑色基体，它遮蔽周边区域内像素电极的延伸部分。形成于第一和第二基底上的对准薄膜的摩擦方向朝着周边区域内像素电极的延伸部分。对准薄膜表面上的杂质离子沿着摩擦方向移动，停止在像素电极的延伸部分，于是由杂质离子引起的图像缺陷用黑色基体遮蔽了。
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公开(公告)号：CN1098221A
公开(公告)日：1995-02-01
申请号：CN94103086.5
申请日：1994-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/00 , G11C11/419
CPC classification number: H01L27/115 , G11C17/123 , H01L27/112
Abstract: 公开了一种带有单位存储单元结构适用于高速操作和低电源电压的非易失性半导体存储器。该存储器包括其一端与相应位线相连的开关电路。该开关电路只在属于该开关电路的条被选择时才发送信号。带有与第一有源区不同浓度的第二有源区组成不同晶体管的源和漏区，第二有源区在存储条和位线被连接的位线接触区的衬底接触区处形成。第二有源区的杂质浓度低于第一有源区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN111727416A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201980013589.X
申请日：2019-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李炯坤
Abstract: 公开了一种窗玻璃。窗玻璃分成透明区域和不透明区域，不透明区域被形成为围绕透明区域的至少一部分。窗玻璃包括透明层和不透明层，不透明层通过堆叠在透明层的部分区域上以与不透明区域对应来形成不透明区域。透明层包括保护玻璃、第一透明层和第二透明层，保护玻璃形成窗玻璃的第一表面，第一透明层由通过UV光的照射而硬化的材料形成，第一透明层包括图案部分，该图案部分具有形成在与不透明区域对应的区域上的图案，第二透明层由光学各向同性材料形成并且形成在保护玻璃和第一透明层之间。不透明层形成在图案部分上，并且第一透明层的一部分和不透明层形成窗玻璃的第二表面。
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公开(公告)号：CN1125466C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN96123885.2
申请日：1996-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C14/00
CPC classification number: G11C17/126 , G11C16/0491
Abstract: 半导体存储器，包括：沿行方向排列、通向读出放大器的多条主位线；位于存储体之间并通过第一组选择晶体管与主位线连接的第一组子位线；位于存储体和第一组子位线之间并通过第二组选择晶体管与公共地线连接的第二组子位线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1397822A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02125133.9
申请日：2002-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F2001/133337 , G02F2001/133388 , G02F2001/133397 , G09G3/3648 , G09G2330/08 , G09G2330/10
Abstract: 液晶显示器中，在第一基底上提供多个栅线和数据线，第一基底包括作为屏幕的显示区域和显示区域外部的周边区域。在第一基底上也提供多个电气连接到栅线和数据线的像素电极。一些像素电极延伸到周边区域内。在与第一基底相对的第二基底上形成黑色基体，它遮蔽周边区域内像素电极的延伸部分。形成于第一和第二基底上的对准薄膜的摩擦方向朝着周边区域内像素电极的延伸部分。对准薄膜表面上的杂质离子沿着摩擦方向移动，停止在像素电极的延伸部分，于是由杂质离子引起的图像缺陷用黑色基体遮蔽了。
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公开(公告)号：CN1044420C
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：CN94104215.4
申请日：1994-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有地址转换检测器的半导体集成电路。该地址转换电路具有连接于电源端、用于检测电源端电压电平的电源检测电路，用于接收地址信号并在地址信号改变时产生窄脉冲的窄脉冲发生电路，以及用于组合电源检测电路和窄脉冲发生电路的输出变化时产生给定脉冲的求和器。
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公开(公告)号：CN1153984A
公开(公告)日：1997-07-09
申请号：CN95119733.9
申请日：1995-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: G11C29/84
Abstract: 此处公开的是一种用来在处理过程中储存信息并带有在处理完成之后储存可替换故障存储单元的数据的信息的备用存储单元的半导体存储器件的冗余电路，其中若从外部输入指明故障存储单元的地址，则相应于此地址产生内部故障单元替换地址，致使储存在正常存储单元中的数据的读出截止，并对应于内部故障单元替换地址输出可替换故障数据的校正数据。
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公开(公告)号：CN1096900A
公开(公告)日：1994-12-28
申请号：CN94104215.4
申请日：1994-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有地址转换检测器的半导体集成电路。该地址转换电路具有连接于电源端、用于检测电源端电压电平的电源检测电路，用于接收地址信号并在地址信号改变时产生窄脉冲的窄脉冲发生电路，以及用于组合电源检测电路和窄脉冲发生电路的输出变化时产生给定脉冲的求和器。
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公开(公告)号：CN1083962A
公开(公告)日：1994-03-16
申请号：CN93109191.8
申请日：1993-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1008 , G06F11/1076
Abstract: 半导体存储器，包括：分成许多副单元组的存储单元组，各副单元组既有正常存储单元又有奇偶校验单元；许多读出放大器组，各接到副单元组中的各单元，用于对来自副单元组的单元数据执行读出操作；许多误差检验与校正电路，各接到各读出放大器组，以修正单元数据中的出错位；以及，各连接到误差检验与校正电路的输出译码器；当该存储器在正常方式下工作，就选择副单元组之一，当其按页式工作时，则选择全部副单元组。
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