公开(公告)号：CN1624916A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410010418.7

申请日：2004-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙洪成 ,  李孝钟 ,  李义亨 ,  河商录 ,  金一龙 ,  金二权

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F41/041 ,  H01F2017/0046 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于芯片上系统的电感器及制造该电感器的方法。该电感器包括通过连接多个导电图案形成导线，其中该导电图案从在下布线上形成的籽层生长。该方法包括使用电解镀层工艺或非电镀层工艺从籽层生长多个相邻的导电图案，直到它们彼此连接。该方法还能够将导线的高度和宽度调节到所需值。

公开(公告)号：CN1581476A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055814.1

申请日：2004-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李孝钟 ,  李京泰 ,  李敬雨 ,  李守根 ,  徐锋锡

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。

公开(公告)号：CN100495703C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200410010418.7

申请日：2004-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙洪成 ,  李孝钟 ,  李义亨 ,  河商录 ,  金一龙 ,  金二权

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F41/041 ,  H01F2017/0046 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于芯片上系统的电感器及制造该电感器的方法。该电感器包括通过连接多个导电图案形成导线，其中该导电图案从在下布线上形成的籽层生长。该方法包括使用电解镀层工艺或非电镀层工艺从籽层生长多个相邻的导电图案，直到它们彼此连接。该方法还能够将导线的高度和宽度调节到所需值。

公开(公告)号：CN100392853C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410055814.1

申请日：2004-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李孝钟 ,  李京泰 ,  李敬雨 ,  李守根 ,  徐锋锡

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。