公开(公告)号：CN108257893B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN201711470648.5

申请日：2017-12-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 张原浩 ,  裵正龙 ,  金禹永 ,  李贤贞 ,  朴世真 ,  高镛璿 ,  韩东均 ,  沈雨宽 ,  金鹏

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。

公开(公告)号：CN113270415A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110180621.2

申请日：2021-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙奫豪 ,  金锡来 ,  朴世真 ,  申胜仲 ,  李惠媛

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11531

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括用于存储数据的存储器单元电容器。存储器单元电容器包括：多个底部电极，其位于衬底上，并且在相对于衬底的顶表面的竖直方向上延伸，多个底部电极在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开；上支撑图案，其位于多个底部电极的上侧表面上；以及下支撑图案，其位于多个底部电极的下侧表面上。下支撑图案设置在衬底与上支撑图案之间，多个底部电极中的第一底部电极包括与下支撑图案的底表面邻近的第一凹部。

公开(公告)号：CN111740012A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010219974.4

申请日：2020-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允荣 ,  林晟洙 ,  姜秉茂 ,  具省模 ,  朴世真 ,  裵珍宇

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明提供了形成电容器的方法、形成半导体器件的方法、形成精细图案的方法和半导体器件，该半导体器件包括：晶体管，在包括第一区域和第二区域的半导体衬底上，并且具有栅极结构和杂质区域；第一层间绝缘膜，覆盖晶体管并且具有电连接到杂质区域的接触插塞；电容器，包括在第二区域中的第一层间绝缘膜上且电连接到接触插塞的下电极、覆盖下电极的表面的电介质膜、和在电介质膜上的上电极；以及支撑层，与下电极的上部侧表面接触以支撑下电极，并且延伸到第一区域，其中支撑层在第一区域和第二区域之间具有台阶。

公开(公告)号：CN108257893A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711470648.5

申请日：2017-12-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 张原浩 ,  裵正龙 ,  金禹永 ,  李贤贞 ,  朴世真 ,  高镛璿 ,  韩东均 ,  沈雨宽 ,  金鹏

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0021 ,  B08B2203/007 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/67207

Abstract: 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。