公开(公告)号：CN117806536A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202310552130.5

申请日：2023-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相圭 ,  申知恩 ,  方湖喆 ,  李惠媛

IPC: G06F3/06

Abstract: 在一些实施例中，存储系统包括存储器件和主机，该主机被配置为向存储器件发送命令和地址(C/A)信号和时钟信号，以及向存储器件发送数据信号或从存储器件接收数据信号。被配置为访问存储器件的每个命令与访问定时参数相关联。该存储器件包括：访问参数定时器，被配置为测量访问定时参数的实际定时值；规格寄存器，被配置为提供定义访问定时参数的有效定时的规格定时值；比较电路，被配置为对实际定时值和规格定时值进行比较；以及模式寄存器，被配置为当实际定时值偏离规格定时值超过预定范围时存储由主机读取的定时违规标志。

公开(公告)号：CN115798541A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210553974.7

申请日：2022-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相圭 ,  申知恩 ,  方湖喆 ,  李惠媛

IPC: G11C11/4078 ,  G11C11/4096 ,  G11C29/50

Abstract: 公开了半导体存储器装置和存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及控制逻辑电路，被配置为控制所述半导体存储器装置。控制逻辑电路包括：模式寄存器；以及剩余寿命计算装置，被配置为基于以下中的一个或多个来对使用度量进行计数：从存储器控制器接收的时钟信号的数量，发送到存储器控制器或从存储器控制器接收的数据的量，和/或从存储器控制器接收的命令的数量。剩余寿命计算装置基于使用度量生成表示所述半导体存储器装置的剩余寿命的剩余寿命码，并且将剩余寿命码存储在模式寄存器中。

公开(公告)号：CN113270415A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110180621.2

申请日：2021-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙奫豪 ,  金锡来 ,  朴世真 ,  申胜仲 ,  李惠媛

IPC: H01L27/11526 ,  H01L27/11531

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括用于存储数据的存储器单元电容器。存储器单元电容器包括：多个底部电极，其位于衬底上，并且在相对于衬底的顶表面的竖直方向上延伸，多个底部电极在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开；上支撑图案，其位于多个底部电极的上侧表面上；以及下支撑图案，其位于多个底部电极的下侧表面上。下支撑图案设置在衬底与上支撑图案之间，多个底部电极中的第一底部电极包括与下支撑图案的底表面邻近的第一凹部。

公开(公告)号：CN103206884A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310015440.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐康台 ,  李惠媛 ,  早濑岳

IPC: F28F9/02 ,  F25B39/00

CPC classification number: F28F9/02 ,  F28D1/05391 ,  F28D2021/0063 ,  F28D2021/0084 ,  F28F9/0214 ,  F28F9/0224 ,  F28F9/0253 ,  Y10T137/598

Abstract: 一种主体和盖的装配方法得到改进的集管单元以及具有该集管单元的热交换器，能够防止主体由于制造工艺的不稳定性而在盖的内侧被不完全地结合到盖，因此能够防止制冷剂在集管内部的两个槽之间泄漏。热交换器包括主体和结合到主体的盖，其中，主体包括形成主体的底表面的基座部分以及从基座部分突出地形成的中间分隔件，盖包括结合凹槽，主体的中间分隔件在穿过结合凹槽的同时结合到结合凹槽。