公开(公告)号：CN116525661A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211490783.7

申请日：2022-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱贞慜 ,  吉奎炫 ,  崔惠彬 ,  白头山 ,  崔雅朗 ,  韩正勋

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括基板，该基板在其中具有彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案具有相对于第二有源图案的顶表面升高的顶表面。沟道半导体层提供在第一有源图案的顶表面上。在沟道半导体层上提供包括第一绝缘图案的第一栅极图案。在第二有源图案的顶表面上提供第二栅极图案，该第二栅极图案包括具有比第一绝缘图案的厚度大的厚度的第二绝缘图案。

公开(公告)号：CN118507486A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410173624.7

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱贞慜 ,  尹灿植 ,  吉奎炫 ,  韩正勋 ,  金元洪

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/48 ,  H01L29/45 ,  H01L21/8234 ,  H10B12/00

Abstract: 集成电路器件包括在衬底上的栅极堆叠、在栅极堆叠的第一侧壁和第二侧壁上的间隔物、在栅极堆叠的第一侧和第二侧在衬底的上部部分中的源极/漏极区、在源极/漏极区上的覆盖半导体层、在覆盖半导体层上并围绕栅极堆叠的侧壁的层间绝缘膜、以及在穿透层间绝缘膜和覆盖半导体层的接触孔中的接触，接触具有接触覆盖半导体层和源极/漏极区的底部部分。

公开(公告)号：CN115881714A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211174269.2

申请日：2022-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱贞慜 ,  尹灿植 ,  吉奎炫 ,  白头山 ,  韩正勋

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/48

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：设置在基板上的外围字线；下电介质图案，覆盖外围字线并且包括覆盖外围字线的侧表面的第一部分和覆盖外围字线的顶表面的第二部分；接触插塞，在外围字线的一侧并穿透第一部分和第二部分；以及填充图案，与下电介质图案的第二部分接触并穿透第二部分的至少一部分。接触插塞包括设置在下电介质图案的顶表面上的接触焊盘以及穿透第一部分和第二部分的贯穿插塞。填充图案围绕接触焊盘的侧表面。第一部分和第二部分包括相同的材料。