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公开(公告)号：CN109473473B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201811041770.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个第一半导体图案，垂直堆叠在衬底上并彼此垂直间隔开；以及第一栅电极，围绕所述多个第一半导体图案。第一栅电极包括：第一功函数金属图案，在所述多个第一半导体图案中的各个第一半导体图案的顶表面、底表面和侧壁上；阻挡图案，在第一功函数金属图案上；以及第一电极图案，在阻挡图案上。第一栅电极具有在所述多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间以及在所述多个第一半导体图案中的最下面的第一半导体图案与所述衬底之间的第一部分。阻挡图案包括包含硅的金属氮化物层。阻挡图案和第一电极图案与第一部分间隔开。
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公开(公告)号：CN105720092A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510953933.7
申请日：2015-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法，该半导体器件配置为通过在势垒层之间形成氧化物层来阻挡物理扩散路径从而防止杂质通过势垒层之间的物理扩散路径扩散。该半导体器件包括：栅绝缘层，形成在基板上；第一势垒层，形成在栅绝缘层上；氧化物层，形成在第一势垒层上，该氧化物层包括通过氧化第一势垒层中包含的材料而形成的氧化物；第二势垒层，形成在氧化物层上；栅电极，形成在第二势垒层上；以及源极/漏极，在基板中设置在栅电极的相反两侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524468B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811085088.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压控制图案的厚度等于或小于第一阈值
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公开(公告)号：CN109524468A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811085088.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压控制图案的厚度等于或小于第一阈值电压控制图案的厚度。
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公开(公告)号：CN112018170A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201911394517.2
申请日：2019-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/49 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括堆叠在基底上的沟道图案和堆叠在基底上的栅电极。沟道图案包括半导体图案。栅电极延伸以与沟道图案交叉。栅电极可以包括介电层、第一逸出功调整图案和第二逸出功调整图案。介电层可以分别围绕半导体图案、第一逸出功调整图案可以分别围绕介电层，第二逸出功调整图案可以分别围绕第一逸出功调整图案。第一逸出功调整图案可以由含铝的材料形成，第一逸出功调整图案中的每个相应的第一逸出功调整图案接触第二逸出功调整图案中的围绕第一逸出功调整图案中的所述相应的第一逸出功调整图案的对应的一个第二逸出功调整图案。
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公开(公告)号：CN105720092B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201510953933.7
申请日：2015-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法，该半导体器件配置为通过在势垒层之间形成氧化物层来阻挡物理扩散路径从而防止杂质通过势垒层之间的物理扩散路径扩散。该半导体器件包括：栅绝缘层，形成在基板上；第一势垒层，形成在栅绝缘层上；氧化物层，形成在第一势垒层上，该氧化物层包括通过氧化第一势垒层中包含的材料而形成的氧化物；第二势垒层，形成在氧化物层上；栅电极，形成在第二势垒层上；以及源极/漏极，在基板中设置在栅电极的相反两侧。
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公开(公告)号：CN109473473A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811041770.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个第一半导体图案，垂直堆叠在衬底上并彼此垂直间隔开；以及第一栅电极，围绕所述多个第一半导体图案。第一栅电极包括：第一功函数金属图案，在所述多个第一半导体图案中的各个第一半导体图案的顶表面、底表面和侧壁上；阻挡图案，在第一功函数金属图案上；以及第一电极图案，在阻挡图案上。第一栅电极具有在所述多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间以及在所述多个第一半导体图案中的最下面的第一半导体图案与所述衬底之间的第一部分。阻挡图案包括包含硅的金属氮化物层。阻挡图案和第一电极图案与第一部分间隔开。
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