公开(公告)号：CN118510266A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410042437.5

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俞琳 ,  李昇姬 ,  张胜愚 ,  卓容奭

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：位线，在衬底上；栅电极，在位线上；栅极绝缘图案，在栅电极的侧壁上；第一沟道，接触位线的上表面和栅极绝缘图案的侧壁；以及接触插塞，接触第一沟道的上表面。第一沟道可以包括尖晶石IGZO。

公开(公告)号：CN116978774A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310429550.4

申请日：2023-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俞琳 ,  金台原 ,  李昇姬 ,  张胜愚 ,  卓容奭

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L21/8234

Abstract: 可提供制造半导体器件的方法，其包括：在基板上提供第一前体以使所述第一前体的第一元素吸附到所述基板的第一区域上，在所述基板上提供第二前体以使所述第二前体的第二元素吸附到所述基板的第二区域上，所述第二区域不同于所述第一区域，和在所述基板上提供包括氧的反应物以形成包括所述第一前体的所述第一元素、所述第二前体的所述第二元素、和所述反应物的氧的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN116960156A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310078180.4

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  金俞琳 ,  李昇嬉 ,  张胜愚 ,  卓容奭

IPC: H01L29/10 ,  H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：位线；沟道图案，包括位线上的水平沟道部分和从水平沟道部分竖直突出的竖直沟道部分；字线，在水平沟道部分上，并且在竖直沟道部分的侧壁上；以及栅极绝缘图案，在字线与沟道图案之间。沟道图案包括氧化物半导体，并且包括顺序堆叠的第一沟道层、第二沟道层和第三沟道层。第一沟道层至第三沟道层包括第一金属，并且第二沟道层还包括与第一金属不同的第二金属。第一沟道层的至少一部分接触位线。

公开(公告)号：CN117673153A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311093686.9

申请日：2023-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昇姬 ,  金俞琳 ,  金台原 ,  卓容奭 ,  张胜愚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路器件，所述场效应晶体管包括：栅电极层；氧化物半导体层，包括镓(Ga)以及从铟(In)和锌(Zn)中选择的至少一种金属元素；以及介电层，在栅电极层与氧化物半导体层之间，其中，氧化物半导体层包括子半导体层和主半导体层，子半导体层与介电层接触，主半导体层与介电层间隔开且使子半导体层在主半导体层与介电层之间，子半导体层具有第一Ga含量，并且子半导体层的第一Ga含量大于包括在子半导体层中的其他金属元素的含量，并且随着距子半导体层的与介电层接触的界面的距离增大而减小。

公开(公告)号：CN114566592A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111375817.3

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  赵龙僖 ,  张胜愚 ,  朴影根 ,  李周浩

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了电容器以及包括该电容器的半导体装置。一种电容器包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层可以包括：基底材料，其包括基底金属的氧化物，该基底材料具有约2至约70的介电常数；和共掺杂剂，包括3族元素和5族元素。3族元素可以包括Sc、Y、B、Al、Ga、In和/或Tl，5族元素可以包括V、Nb、Ta、N、P、As、Sb和/或Bi。