公开(公告)号：CN116978774A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310429550.4

申请日：2023-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俞琳 ,  金台原 ,  李昇姬 ,  张胜愚 ,  卓容奭

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L21/8234

Abstract: 可提供制造半导体器件的方法，其包括：在基板上提供第一前体以使所述第一前体的第一元素吸附到所述基板的第一区域上，在所述基板上提供第二前体以使所述第二前体的第二元素吸附到所述基板的第二区域上，所述第二区域不同于所述第一区域，和在所述基板上提供包括氧的反应物以形成包括所述第一前体的所述第一元素、所述第二前体的所述第二元素、和所述反应物的氧的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN118510266A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410042437.5

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俞琳 ,  李昇姬 ,  张胜愚 ,  卓容奭

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：位线，在衬底上；栅电极，在位线上；栅极绝缘图案，在栅电极的侧壁上；第一沟道，接触位线的上表面和栅极绝缘图案的侧壁；以及接触插塞，接触第一沟道的上表面。第一沟道可以包括尖晶石IGZO。

公开(公告)号：CN117641892A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311007761.5

申请日：2023-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昇姬 ,  金俞琳 ,  金台原 ,  卓容奭

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：多条位线，布置在基底上，并且沿第一水平方向延伸；模制绝缘层，布置在位线上，并且包括分别沿第二水平方向延伸的多个开口；多个沟道层，在模制绝缘层的每个开口中分别布置在位线上并且包括第一竖直延伸部分；多个钝化层，相应地布置在每个竖直延伸部分上；栅极绝缘层，布置成面向每个竖直延伸部分且使每个钝化层位于栅极绝缘层与竖直延伸部分之间；以及多条字线，在栅极绝缘层上沿第二水平方向延伸，并且包括相应地布置在模制绝缘层的每个开口的第一侧壁上的第一字线和相应地布置在模制绝缘层的每个开口的第二侧壁上的第二字线。

公开(公告)号：CN117673153A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311093686.9

申请日：2023-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昇姬 ,  金俞琳 ,  金台原 ,  卓容奭 ,  张胜愚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路器件，所述场效应晶体管包括：栅电极层；氧化物半导体层，包括镓(Ga)以及从铟(In)和锌(Zn)中选择的至少一种金属元素；以及介电层，在栅电极层与氧化物半导体层之间，其中，氧化物半导体层包括子半导体层和主半导体层，子半导体层与介电层接触，主半导体层与介电层间隔开且使子半导体层在主半导体层与介电层之间，子半导体层具有第一Ga含量，并且子半导体层的第一Ga含量大于包括在子半导体层中的其他金属元素的含量，并且随着距子半导体层的与介电层接触的界面的距离增大而减小。