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公开(公告)号：CN110021313A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910019862.1
申请日：2019-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 张俊锡
IPC: G11C7/10
Abstract: 非易失性存储器件包括页缓冲器和控制逻辑。所述页缓冲器包括多个锁存器组，所述锁存器组锁存根据多个读取信号的多个第一读取操作的第一结果。所述第一读取操作从包括在多个存储器单元中的所选择的存储器单元的多个页数据中识别单个页数据。控制逻辑通过比较所述第一读取操作的第一结果来选择所述读取信号的一部分，并重置未选择的剩余读取信号。所述页缓冲器存储根据所选择的读取信号的第二读取操作的第二结果，并且存储根据重置的剩余读取信号的第三读取操作的第三结果。
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公开(公告)号：CN102543192B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201110453269.1
申请日：2011-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/3418 , G11C16/3459
Abstract: 在根据示例实施例的、对包括多个存储多比特数据的多电平单元的非易失性存储器件的编程方法中，执行最低有效位(LSB)编程操作，以对多个多电平单元中的多比特数据的LSB进行编程。执行最高有效位(MSB)编程操作，以对多个多电平单元中的多比特数据的MSB进行编程。为了执行MSB编程操作，对多个多电平单元当中待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的第一多电平单元执行MSB预编程操作，并且执行MSB主编程操作，以将多个多电平单元编程到与多比特数据相对应的多个目标编程状态。
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公开(公告)号：CN118298882A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311778646.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种操作包括存储器单元阵列的存储器装置的方法、一种存储器装置和一种存储器系统。存储器单元阵列包括多个存储器单元和连接到多个存储器单元的多条字线。该方法包括：通过调整施加到与用于改善存储器单元读出特性而要被额外读取的存储器单元连接的选择的字线WLN的电压电平以及施加到多条未选择的字线WLUnselect的电压电平，对多个存储器单元执行额外的读操作；以及通过将施加到多条未选择的字线WLUnselect之中的至少一条第一字线的电压电平调整为与在额外的读操作中施加到所述至少一条第一字线的电压电平不同，对多个存储器单元执行主读操作。
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公开(公告)号：CN114913908A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111333481.4
申请日：2021-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储设备包括非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的存储器控制器。非易失性存储器件包括存储单元阵列。存储单元阵列包括正常单元区域、奇偶校验单元区域和冗余单元区域。第一位线连接到正常单元区域和奇偶校验单元区域，第二位线连接到冗余单元区域。存储器控制器包括用于产生奇偶校验数据的纠错码(ECC)引擎。存储器控制器将用户数据存储在正常单元区域中，控制非易失性存储器件对第一位线中的第一缺陷位线执行列修复，将附加列地址分配给第一缺陷位线和第二位线，以及将奇偶校验数据的至少一部分存储在与附加地分配的列地址相对应的区域中。
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公开(公告)号：CN106558343B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201610842047.1
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种操作非易失性存储装置的方法和非易失性存储装置。所述操作非易失性存储装置的方法的步骤包括：对多个存储块中的第一存储块执行第一存储操作；当在完成第一存储操作之后在等于或大于参考区间的区间期间状态信号指示非易失性存储装置的就绪状态时，对第一存储块的一部分执行固化操作。所述非易失性存储装置包括多个存储块，每个存储块包括相对于基底沿垂直方向延伸的多个垂直串。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558343A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610842047.1
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0466 , G11C7/1063 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C29/832 , G11C2029/4402 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , G11C16/16
Abstract: 提供了一种操作非易失性存储装置的方法和非易失性存储装置。所述操作非易失性存储装置的方法的步骤包括：对多个存储块中的第一存储块执行第一存储操作；当在完成第一存储操作之后在等于或大于参考区间的区间期间状态信号指示非易失性存储装置的就绪状态时，对第一存储块的一部分执行固化操作。所述非易失性存储装置包括多个存储块，每个存储块包括相对于基底沿垂直方向延伸的多个垂直串。
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公开(公告)号：CN110364208B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910180927.0
申请日：2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种存储器装置。一种存储器装置包括：页缓冲器单元，包括多个锁存器，所述多个锁存器根据由选择的存储器单元的字线提供的多个虚设信号，锁存选择的存储器单元的多条虚设数据中的每条虚设数据；控制逻辑，将所述多个锁存器中的第一计数锁存器的计数值与参考计数值进行比较，根据比较结果确定是否对不同于第一计数锁存器的第二计数锁存器进行计数，并且校正在读取操作中由选择的存储器单元的字线提供的读取信号的电压电平。
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公开(公告)号：CN110021313B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910019862.1
申请日：2019-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 张俊锡
IPC: G11C7/10
Abstract: 非易失性存储器件包括页缓冲器和控制逻辑。所述页缓冲器包括多个锁存器组，所述锁存器组锁存根据多个读取信号的多个第一读取操作的第一结果。所述第一读取操作从包括在多个存储器单元中的所选择的存储器单元的多个页数据中识别单个页数据。控制逻辑通过比较所述第一读取操作的第一结果来选择所述读取信号的一部分，并重置未选择的剩余读取信号。所述页缓冲器存储根据所选择的读取信号的第二读取操作的第二结果，并且存储根据重置的剩余读取信号的第三读取操作的第三结果。
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公开(公告)号：CN116110471A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211405464.1
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种闪存设备包括与字线连接的存储器单元阵列和通过数据恢复读取操作对字线执行阈值电压补偿的控制逻辑。当在选择的字线之后对其执行编程的字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的数据恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。当在选择的字线之后对其执行编程的下一字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的前一字线的数据读取恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。
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公开(公告)号：CN114512170A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111358539.0
申请日：2021-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作存储器件的方法，该方法包括：执行第一编程操作以形成多个第一阈值电压分布；以及基于偏移信息，通过使用粗略验证电压和精细验证电压来执行第二编程操作，以从多个第一阈值电压分布形成分别与多个编程状态对应的多个第二阈值电压分布，其中，偏移信息包括根据第二阈值电压分布的特性而变化的多个偏移。
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