公开(公告)号：CN105336754A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510474389.8

申请日：2015-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李景镐 ,  安正查 ,  崔赫洵

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/3696 ,  H04N5/3745

Abstract: 图像像素包括在半导体衬底中形成的多个光电二极管和多个沟槽。每个光电二极管被配置为累积透过微镜头在每个光电二极管处接收到的光的强度相对应的多个光电荷。多个沟槽被配置为将光电二极管彼此电隔离。

公开(公告)号：CN102280992A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110113535.6

申请日：2011-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  申在光 ,  吴在浚 ,  金钟燮 ,  崔赫洵 ,  黄仁俊 ,  洪起夏

IPC: H02M1/32 ,  H02M1/088

CPC classification number: H03K17/163 ,  H03K17/284

Abstract: 一种电源设备，包括：开关设备，具有控制端和输出端；以及驱动电路，配置为向该控制端提供驱动电压以使得该控制端与该输出端之间的电压维持小于或等于临界电压。根据该开关设备的电流-电压特性确定该驱动电压达到目标电平所需的上升时间。而且，当该控制端与该输出端之间的电压超过该临界电压时，在该控制端与该输出端之间产生泄漏电流。

公开(公告)号：CN109728015A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811243122.8

申请日：2018-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  崔赫洵 ,  金升埴

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3745

Abstract: 提供了包括能够在非常短的时间内建立输出电压以实现高速图像传感器的结构的图像传感器。该图像传感器包括：像素区域，其中设置光电二极管(PD)和传输晶体管(Tr)，传输晶体管(Tr)被配置为将PD中累积的电荷传输到浮置扩散(FD)区域；以及Tr区域，其与像素区域相邻设置，并包括第一Tr、第二Tr和第三Tr，其中设置在第一Tr的第一栅电极下方的第一栅极氧化物膜和设置在第二Tr的第二栅电极下方的第二栅极氧化物膜包括比传输Tr的栅极氧化物膜薄的沟道氧化物膜。

公开(公告)号：CN102194867B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201110051882.0

申请日：2011-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  金钟燮 ,  崔赫洵 ,  洪起夏 ,  申在光 ,  吴在浚

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了表现双耗尽的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。HEMT包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极。双耗尽区域存在于源极和漏极之间。多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。

公开(公告)号：CN102034861A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010292444.9

申请日：2010-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟燮 ,  洪起夏 ,  吴在浚 ,  崔赫洵 ,  黄仁俊 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种包括2-维电子气(2DEG)沟道的电力电子器件、其制造方法以及包括该电力电子器件的集成电路模块。电力电子器件包括用于形成2DEG沟道的下材料层和上材料层，以及接触上材料层的上表面的栅极。在2DEG沟道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的关区域。整个上材料层可以是连续的且可具有均匀的厚度。上材料层的在栅极下面的区域包括用于减小或消除下材料层与上材料层之间的晶格常数差的杂质。

公开(公告)号：CN114207553A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055679.8

申请日：2020-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹昇完 ,  郑哲宪 ,  崔赫洵 ,  梁玹硕 ,  高承勋 ,  金相掀

IPC: G06F1/16 ,  G06F3/0362 ,  G06F3/038 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0482 ,  G06F3/0483 ,  G06F3/04845 ,  G06F3/04847 ,  G06F3/0488 ,  G06F3/04883 ,  G06F3/04886

Abstract: 提供了用于处理输入的电子装置和用于该电子装置的方法。所述电子装置包括：盖窗；显示器，设置在盖窗下方；触摸面板，包括设置在与显示器对应的区域中的一个或更多个触摸感测元件，所述触摸面板被配置为通过使用所述一个或更多个触摸感测元件生成触摸信号或接近信号中的至少一者；至少一个处理器，可操作地连接到显示器和触摸面板；以及存储器，可操作地连接到所述至少一个处理器。存储器可以存储指令，指令在由所述至少一个处理器执行时使所述至少一个处理器：通过使用由触摸感测元件生成的触摸信号，识别盖窗上的与显示器对应的第一区域中的第一触摸输入；通过使用由触摸感测元件生成的接近信号，识别盖窗上的在显示器周围的第二区域中的第一接近输入；基于第一触摸输入和第一接近输入来确定是否满足指定的输入确定条件；基于是否已经满足指定的输入确定条件，选择与显示器对应的第一区域中的触摸输入或在显示器周围的第二区域中的第一接近输入之一；以及执行与所选择的输入对应的功能。

公开(公告)号：CN105049755A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510208759.3

申请日：2015-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰瓒 ,  闵桐基 ,  李侊铉 ,  鲁尧焕 ,  尹世焕 ,  金大官 ,  金永珍 ,  金旺炫 ,  崔赫洵

IPC: H04N5/3745

CPC classification number: H01L27/1463 ,  G02B3/0056 ,  G02B5/201 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/347 ,  H04N5/3535 ,  H04N5/35554 ,  H04N5/3742 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378 ,  H04N9/045

Abstract: 提供了一种图像传感器和具有该图像传感器的数据处理系统。根据发明构思的示例实施例的图像传感器包括包含多个像素的像素阵列，所述多个像素中的每个像素包括多个光电转换元件。所述多个光电转换元件被独立地操作以检测相位差。所述图像传感器还包括控制电路，所述控制电路被构造为独立地控制所述多个像素中的每个像素所包括的多个光电转换元件中的每个光电转换元件的曝光时间。

公开(公告)号：CN102034861B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201010292444.9

申请日：2010-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟燮 ,  洪起夏 ,  吴在浚 ,  崔赫洵 ,  黄仁俊 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种包括2-维电子气(2DEG)沟道的电力电子器件、其制造方法以及包括该电力电子器件的集成电路模块。电力电子器件包括用于形成2DEG沟道的下材料层和上材料层，以及接触上材料层的上表面的栅极。在2DEG沟道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的关区域。整个上材料层可以是连续的且可具有均匀的厚度。上材料层的在栅极下面的区域包括用于减小或消除下材料层与上材料层之间的晶格常数差的杂质。

公开(公告)号：CN101685077B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200910174231.3

申请日：2009-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪起夏 ,  崔赫洵 ,  金钟燮 ,  申在光

IPC: G01N27/12

CPC classification number: G01N29/036 ,  G01N2291/0257 ,  Y10S977/957

Abstract: 本发明提供了一种使用薄膜感测部件的化学传感器，所述化学传感器可包括：第一电极，在基底上；感测部件，覆盖基底上的第一电极；多个第二电极，在感测部件的表面上，暴露感测部件的表面。化学传感器可构造为当将被感测的化合物被吸附到感测部件上时测量电特性的变化。还提供一种包括化学传感器的阵列的化学传感器阵列。

公开(公告)号：CN101414599A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810144945.5

申请日：2008-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金德起 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  宋利宪 ,  金元主 ,  陈暎究 ,  崔赫洵 ,  金锡必

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5252 ,  G11C17/16 ,  H01L27/1021 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种反熔丝结构和反熔丝阵列结构。反熔丝结构包括：位线，在半导体基底内被形成为第一扩散区；绝缘层，形成在位线上；字线，形成在绝缘层上。反熔丝阵列结构包括以阵列形式布置的多个反熔丝结构。