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公开(公告)号：CN119382708A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410580605.6
申请日：2024-05-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 本公开涉及逐次逼近寄存器模数转换器。示例逐次逼近寄存器模数转换器包括：第一采样和保持电路，其在第一时间点对模拟信号进行采样并生成第一输入电压；第二采样和保持电路，其在第二时间点对所述模拟信号进行采样并生成第二输入电压；以及第一模数转换器。第一模数转换器通过接收第一输入电压和第二输入电压、对第一输入电压和第二输入电压进行采样，以及基于第一输入电压的采样结果和第二输入电压的采样结果输出多位数字信号来执行前馈均衡功能。
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公开(公告)号：CN1318460C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN03130785.X
申请日：2003-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F134/04 , G01N27/26 , G01N33/50
CPC classification number: G01N33/545 , C08G61/126 , G01N33/5438 , H01B1/127
Abstract: 本发明提供新型导电聚合物、应用导电聚合物的传感器、检测杂交至探针的靶分子的方法和所述敏感器的应用。所述导电聚合物具有下式结构：其中m为1、2或3；R为羟基琥珀酰亚氨基、羟基邻苯二甲酰亚氨基或五氟苯酚基；n为0或整数。
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公开(公告)号：CN1649329A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510005754.7
申请日：2005-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04L49/3045 , H04L49/101 , H04L49/252 , H04L49/254
Abstract: 在缓冲开关及其调度方法中，不需要进行冲突检测和随机选择逻辑配置。缓冲开关包括：输入缓冲器单元，用于转换从对应的输入端口输入的串行数据为并行数据；移位及比较单元，用于比较当前存储的数据与通过输入缓冲器模块对齐的并行数据，用于根据数据有效性确定输出数据的路径，并且用于计算转发所述的数据所需的选通时间；输出缓冲器单元，用于以与接收时的速度相同的速度输出经过输入端口接收的数据；切换单元，用于选通在移位及比较单元和输出缓冲器单元之间的路径；控制单元，用于建立路径，为此允许输入缓冲器单元和输出缓冲器单元按照建立的路径进行操作，操作的时间为相关的缓冲器的选通时间和来自移位及比较单元的选通时间。
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公开(公告)号：CN119071114A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410574716.6
申请日：2024-05-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 提供了一种用于接收数据信号的接收器、通信系统及其操作方法。所述用于接收数据信号的接收器包括：模数转换器，被配置为：将数据信号转换为数字数据；先进先出缓冲器，被配置为：通过参考逗号索引来确定数字数据的帧边界，以根据确定的帧边界以数据帧为单位输出数字数据；判决反馈均衡器，被配置为：通过判决反馈均衡操作来处理从先进先出缓冲器输出的数据帧，其中，在数据帧的判决反馈均衡操作中使用的反馈数据使用预定的固定模式；以及逗号检测器，被配置为：通过将数据帧的确定值与预定的固定模式进行比较来生成逗号索引。数据帧可包括存储消息的先前数据字段和与固定模式具有相同位值的后续逗号字段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103513331A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310258082.5
申请日：2013-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/12004 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/066 , G02F2202/105
Abstract: 本发明提供一种光学集成电路，该光学集成电路可包括包含单晶半导体材料的基板、在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的无源元件、以及在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的有源元件。
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公开(公告)号：CN114204938A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111027549.6
申请日：2021-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03L7/24 , H03L7/099 , G11C11/4076
Abstract: 一种注入锁定振荡器(ILO)电路包括：注入电路，所述注入电路接收具有相位差的输入信号，并基于每个输入信号与输出端处的振荡信号之间的电压电平差来提供分别与所述输入信号相对应的注入信号；以及多相信号输出电路，所述多相信号输出电路在从所述输入端接收到所述注入信号时提供多相信号，这些信号之间的相位差被固定为预定相位差。
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公开(公告)号：CN1454908A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03130785.X
申请日：2003-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F134/04 , G01N27/26 , G01N33/50
CPC classification number: G01N33/545 , C08G61/126 , G01N33/5438 , H01B1/127
Abstract: 本发明提供新型导电聚合物、应用导电聚合物的传感器、检测杂交至探针的靶分子的方法和所述敏感器的应用。所述导电聚合物具有下式结构：其中m为1、2或3；R为羟基琥珀酰亚氨基、羟基邻苯二甲酰亚氨基或五氟苯酚基；n为0或整数。
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公开(公告)号：CN103513331B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310258082.5
申请日：2013-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/12004 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/066 , G02F2202/105
Abstract: 本发明提供一种光学集成电路，该光学集成电路可包括包含单晶半导体材料的基板、在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的无源元件、以及在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的有源元件。
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公开(公告)号：CN102097124A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010526195.5
申请日：2010-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4193 , G11C16/06
CPC classification number: H03K19/0005 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 示例实施例公开了减小电流消耗的具有片内终结(ODT)结构的半导体设备以及在所述半导体设备中执行的终结方法。所述半导体设备包括：校准电路，用于响应于参考电压和与外部电阻器相连的校准端的电压来生成校准代码；以及片内终结器，用于响应于校准代码和片内终结控制信号来控制数据输入/输出垫片的终结电阻。数据输入/输出垫片的终结电阻大于校准端的电阻。
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