公开(公告)号：CN102097124A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010526195.5

申请日：2010-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔桢焕 ,  金梁基 ,  崔英

IPC: G11C11/4193 ,  G11C16/06

CPC classification number: H03K19/0005 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 示例实施例公开了减小电流消耗的具有片内终结(ODT)结构的半导体设备以及在所述半导体设备中执行的终结方法。所述半导体设备包括：校准电路，用于响应于参考电压和与外部电阻器相连的校准端的电压来生成校准代码；以及片内终结器，用于响应于校准代码和片内终结控制信号来控制数据输入/输出垫片的终结电阻。数据输入/输出垫片的终结电阻大于校准端的电阻。

公开(公告)号：CN110097900A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201811072322.1

申请日：2018-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吉汎涌 ,  金梁基

IPC: G11C7/10

Abstract: 提供了一种集成电路装置和半导体装置，所述集成电路装置包括：读取选通信号发送器，包括主输出驱动电路和牺牲输出驱动电路，牺牲输出驱动电路的输出端子电结合到主输出驱动电路的输出端子。读取选通信号发送器被配置为：(i)响应于一对周期性驱动信号，在读取时间间隔期间生成周期性激活的读取选通信号，所述一对周期性驱动信号的相位在读取时间间隔期间相对于彼此相差180°；(ii)响应于激活的牺牲控制信号，在非读取时间间隔期间以固定的逻辑电平生成禁用的读取选通信号。主输出驱动电路在读取时间间隔期间响应于所述一对周期性驱动信号，牺牲输出驱动电路在非读取时间间隔期间响应于激活的牺牲控制信号。

公开(公告)号：CN102157200A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010549883.3

申请日：2010-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金梁基 ,  崔桢焕

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C2207/2272

Abstract: 一种半导体器件接收与存储器存取操作对应的命令并且在加性等待时间期间之后执行该存储器存取操作。该加性等待时间期间在接收命令时开始。该半导体器件包括：相位控制器，用于控制时钟信号的相位并输出相控时钟信号；以及控制器，用于产生并输出用于在加性等待时间期间中的预定时间使能被禁止的相位控制器的控制信号。