公开(公告)号：CN106486353A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610720818.X

申请日：2016-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞东洙 ,  金元洪 ,  宋文均 ,  李民主 ,  崔戍侦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在有源图案上形成牺牲栅图案；在牺牲栅图案的彼此对立的侧壁上形成间隔物；在有源图案和间隔物上形成层间绝缘层；去除牺牲栅图案以形成暴露有源图案的区域的栅沟槽；在有源图案的由栅沟槽暴露的区域上形成栅电介质层；在小于1atm的压强执行第一热处理以去除层间绝缘层中的杂质；在比第一热处理的温度高的温度对栅电介质层执行第二热处理；以及在栅沟槽中形成栅电极。

公开(公告)号：CN106486353B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201610720818.X

申请日：2016-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞东洙 ,  金元洪 ,  宋文均 ,  李民主 ,  崔戍侦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在有源图案上形成牺牲栅图案；在牺牲栅图案的彼此对立的侧壁上形成间隔物；在有源图案和间隔物上形成层间绝缘层；去除牺牲栅图案以形成暴露有源图案的区域的栅沟槽；在有源图案的由栅沟槽暴露的区域上形成栅电介质层；在小于1atm的压强执行第一热处理以去除层间绝缘层中的杂质；在比第一热处理的温度高的温度对栅电介质层执行第二热处理；以及在栅沟槽中形成栅电极。

公开(公告)号：CN110718548B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201910238881.3

申请日：2019-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔戍侦 ,  卢东贤 ,  金成洙 ,  安圭焕 ,  玄尚镇

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H10D30/62

Abstract: 一种半导体器件，其可以包括：有源鳍，所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；隔离结构，其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫，以及在所述衬垫上的阻挡图案，所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；栅电极结构，其在有源鳍和隔离结构上；以及源极/漏极层，其在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。

公开(公告)号：CN106409909B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201610617613.9

申请日：2016-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元洪 ,  俞东洙 ,  李民主 ,  宋文均 ,  崔戍侦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开涉及制造集成电路器件的方法。一种集成电路器件可以包括覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁的栅绝缘层、覆盖栅绝缘层的栅电极、以及沿鳍形有源区和栅绝缘层之间的界面设置的氢原子层。一种制造集成电路器件的方法可以包括：形成覆盖初步鳍形有源区的下部的绝缘层；通过在氢气氛中退火初步鳍形有源区的上部形成鳍形有源区，该鳍形有源区具有平滑度增大的外表面；以及形成覆盖鳍形有源区的外表面的氢原子层。栅绝缘层和栅电极可以被形成为覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁。

公开(公告)号：CN110718548A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910238881.3

申请日：2019-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔戍侦 ,  卢东贤 ,  金成洙 ,  安圭焕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，其可以包括：有源鳍，所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开，所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出；隔离结构，其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫，以及在所述衬垫上的阻挡图案，所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅；栅电极结构，其在有源鳍和隔离结构上；以及源极/漏极层，其在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。

公开(公告)号：CN106409909A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610617613.9

申请日：2016-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元洪 ,  俞东洙 ,  李民主 ,  宋文均 ,  崔戍侦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/785

Abstract: 本公开涉及制造集成电路器件的方法。一种集成电路器件可以包括覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁的栅绝缘层、覆盖栅绝缘层的栅电极、以及沿鳍形有源区和栅绝缘层之间的界面设置的氢原子层。一种制造集成电路器件的方法可以包括：形成覆盖初步鳍形有源区的下部的绝缘层；通过在氢气氛中退火初步鳍形有源区的上部形成鳍形有源区，该鳍形有源区具有平滑度增大的外表面；以及形成覆盖鳍形有源区的外表面的氢原子层。栅绝缘层和栅电极可以被形成为覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁。