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公开(公告)号：CN110112165B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910413887.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/062 , H01L31/113
Abstract: 提供了一种图像传感器，其中该图像传感器包括：包括第一感测区域的基板，第一感测区域在其中具有光电器件；分隔第一感测区域的边界隔离膜；在第一感测区域中在基板内的内反射图案膜；在基板上的红外滤光器；以及在红外滤光器上的微透镜。
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公开(公告)号：CN112310130A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010557071.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：光电二极管，响应于光来生成电荷；转移晶体管，连接光电二极管和浮置扩散体；复位晶体管，连接在浮置扩散体和电力节点之间；增压电容器，连接到浮置扩散体，并响应于增压控制信号来调整浮置扩散体的容量；以及偏置电路，具有第一电流电路和第二电流电路，用于向输出节点供应不同的偏置电流，其中向所述输出节点输出与浮置扩散体中累积的电荷相对应的电压信号。在转移晶体管断开之后，增压控制信号从高电平下降到低电平，并且当将第一电流电路和第二电流电路的偏置电流同时提供给输出节点时，复位晶体管从导通状态切换到断开状态。
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公开(公告)号：CN119384054A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411366097.8
申请日：2022-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括具有多个像素区域的衬底和设置在像素区域之间的衬底中的深器件隔离图案。所述多个像素区域包括在第一方向和第二方向上彼此相邻的第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和第四像素区域。深器件隔离图案包括介于第一像素区域和第二像素区域之间以及第三像素区域和第四像素区域之间并且在第二方向上彼此间隔开的第一部分，以及介于第一像素区域和第三像素区域之间以及第二像素区域和第四像素区域之间并且在第一方向上彼此间隔开的第二部分。第一像素区域包括第一延伸有源图案，第一延伸有源图案在第一方向上延伸到第二像素区域并且设置在深器件隔离图案的第一部分之间。
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公开(公告)号：CN115831990A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211121673.3
申请日：2022-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板，该基板包括彼此相邻的第一和第二像素；在基板中将第一和第二像素彼此隔离的器件隔离部分；在第一和第二像素的第一表面上的传输栅极；在第一和第二像素之一中的接地区域；以及堆叠在第二表面上的第一滤色器和微透镜阵列层。深器件隔离部分包括垂直重叠并间隔开的第一和第二隔离部分。第一隔离部分包括从第一表面朝向第二表面延伸的第一导电图案、在第一导电图案上的高浓度掺杂图案以及在第一导电图案和高浓度掺杂图案之间的绝缘图案。接地区域和高浓度掺杂图案包括具有相同导电类型的掺杂剂。
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公开(公告)号：CN111009536A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910893072.6
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面，其中光入射到所述第二表面；像素区，其形成在所述衬底中；半导体光电转换器，其设置在所述像素区和所述衬底中；一个或多个晶体管，其设置在所述像素区中并且设置在所述衬底的所述第一表面处，其中所述一个或多个晶体管不与所述半导体光电转换器重叠；和分隔图案，其设置在所述像素区中并围绕所述一个或多个晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110164890B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201910413886.5
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其中该图像传感器包括：包括第一感测区域的基板，第一感测区域在其中具有光电器件；分隔第一感测区域的边界隔离膜；在第一感测区域中在基板内的内反射图案膜；在基板上的红外滤光器；以及在红外滤光器上的微透镜。
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公开(公告)号：CN110072068B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201811404209.9
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/616
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：光电转换器，响应于入射光产生电荷并且向第一节点提供产生的电荷；传输晶体管，基于第一控制信号向浮置扩散节点提供第一节点的电压；源跟随器晶体管，提供浮置扩散节点的电压作为单位像素输出；以及相关双采样器(CDS)，接收单位像素输出并且将单位像素输出转换为数字代码。在第一节点的电压提供到浮置扩散节点时与在CDS被提供作为单位像素输出的第一节点的电压时之间的时间段中，具有第一电压、第二电压和第三电压的第一控制信号保持在第二电压。
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公开(公告)号：CN115706121A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210556606.8
申请日：2022-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括具有多个像素区域的衬底和设置在像素区域之间的衬底中的深器件隔离图案。所述多个像素区域包括在第一方向和第二方向上彼此相邻的第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和第四像素区域。深器件隔离图案包括介于第一像素区域和第二像素区域之间以及第三像素区域和第四像素区域之间并且在第二方向上彼此间隔开的第一部分，以及介于第一像素区域和第三像素区域之间以及第二像素区域和第四像素区域之间并且在第一方向上彼此间隔开的第二部分。第一像素区域包括第一延伸有源图案，第一延伸有源图案在第一方向上延伸到第二像素区域并且设置在深器件隔离图案的第一部分之间。
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公开(公告)号：CN112786631A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011034938.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括具有第一像素和第二像素的像素阵列，所述第一像素和所述第二像素中的每个像素包括：光电二极管、从所述第一像素和所述第二像素检测复位电压和像素电压并产生模拟信号的采样电路、从所述模拟信号获得图像数据的模数转换器、以及使用所述图像数据产生图像的信号处理电路。每个所述第一像素包括将所述光电二极管分隔开并具有第一导电类型的杂质的第一导电类型的阱。所述光电二极管具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质。每个所述第二像素包括将所述光电二极管分隔开并具有与所述第一导电类型不同的所述第二导电类型的杂质的第二导电类型的阱。所述第二导电类型的阱的电势高于所述第一导电类型的阱的电势。
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公开(公告)号：CN110164890A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910413886.5
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其中该图像传感器包括：包括第一感测区域的基板，第一感测区域在其中具有光电器件；分隔第一感测区域的边界隔离膜；在第一感测区域中在基板内的内反射图案膜；在基板上的红外滤光器；以及在红外滤光器上的微透镜。
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