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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728017A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811276365.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔离区，邻近第一表面且限定单元像素；转移栅，在第一表面上在单元像素的边缘处；光电转换部，在基板中且邻近转移栅的第一侧表面；以及浮置扩散区，在基板中且邻近转移栅的第二侧表面。第二侧表面面对第一侧表面。第一器件隔离区与第二侧表面间隔开。基板和第一器件隔离区掺杂有具有第一导电性的杂质。第一器件隔离区的第一杂质浓度大于基板的第二杂质浓度。
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公开(公告)号：CN115706121A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210556606.8
申请日：2022-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括具有多个像素区域的衬底和设置在像素区域之间的衬底中的深器件隔离图案。所述多个像素区域包括在第一方向和第二方向上彼此相邻的第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和第四像素区域。深器件隔离图案包括介于第一像素区域和第二像素区域之间以及第三像素区域和第四像素区域之间并且在第二方向上彼此间隔开的第一部分，以及介于第一像素区域和第三像素区域之间以及第二像素区域和第四像素区域之间并且在第一方向上彼此间隔开的第二部分。第一像素区域包括第一延伸有源图案，第一延伸有源图案在第一方向上延伸到第二像素区域并且设置在深器件隔离图案的第一部分之间。
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公开(公告)号：CN119384054A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411366097.8
申请日：2022-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括具有多个像素区域的衬底和设置在像素区域之间的衬底中的深器件隔离图案。所述多个像素区域包括在第一方向和第二方向上彼此相邻的第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域和第四像素区域。深器件隔离图案包括介于第一像素区域和第二像素区域之间以及第三像素区域和第四像素区域之间并且在第二方向上彼此间隔开的第一部分，以及介于第一像素区域和第三像素区域之间以及第二像素区域和第四像素区域之间并且在第一方向上彼此间隔开的第二部分。第一像素区域包括第一延伸有源图案，第一延伸有源图案在第一方向上延伸到第二像素区域并且设置在深器件隔离图案的第一部分之间。
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公开(公告)号：CN109728017B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201811276365.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔离区，邻近第一表面且限定单元像素；转移栅，在第一表面上在单元像素的边缘处；光电转换部，在基板中且邻近转移栅的第一侧表面；以及浮置扩散区，在基板中且邻近转移栅的第二侧表面。第二侧表面面对第一侧表面。第一器件隔离区与第二侧表面间隔开。基板和第一器件隔离区掺杂有具有第一导电性的杂质。第一器件隔离区的第一杂质浓度大于基板的第二杂质浓度。
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公开(公告)号：CN115831990A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211121673.3
申请日：2022-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板，该基板包括彼此相邻的第一和第二像素；在基板中将第一和第二像素彼此隔离的器件隔离部分；在第一和第二像素的第一表面上的传输栅极；在第一和第二像素之一中的接地区域；以及堆叠在第二表面上的第一滤色器和微透镜阵列层。深器件隔离部分包括垂直重叠并间隔开的第一和第二隔离部分。第一隔离部分包括从第一表面朝向第二表面延伸的第一导电图案、在第一导电图案上的高浓度掺杂图案以及在第一导电图案和高浓度掺杂图案之间的绝缘图案。接地区域和高浓度掺杂图案包括具有相同导电类型的掺杂剂。
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