公开(公告)号：CN106486461B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201610756035.7

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN116056460A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211339831.2

申请日：2022-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李根 ,  尹基炫 ,  李正吉 ,  韩赫

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种电极结构、半导体装置和电子系统。电极结构包括：导电电极，该导电电极包括第一表面；绝缘层，其位于导电电极上，绝缘层与导电电极的第一表面接触；以及纳米点图案，其位于导电电极中并且与导电电极的第一表面间隔开，纳米点图案包括与导电电极的第一表面平行排列的纳米点，并且纳米点中的每个纳米点包括第一侧表面和第二侧表面，第一侧表面与导电电极的第一表面相邻，第一侧表面是平坦的并且与导电电极的第一表面平行，第二侧表面与第一侧表面相对，第二侧表面在远离导电电极的第一表面的方向上凸起。

公开(公告)号：CN115172264A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210637213.X

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN103378167A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310128627.0

申请日：2013-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正吉 ,  林泰洙 ,  林炫锡 ,  尹基炫 ,  韩赫 ,  李明范

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11529 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一多晶硅图案，在该衬底上；金属图案，在该第一多晶硅图案上；以及界面层，在该第一多晶硅图案与该金属图案之间。该界面层可包括从金属－硅氮氧化物层、金属－硅氧化物层以及金属－硅氮化物层的组中选择的至少之一。

公开(公告)号：CN109427807B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810818513.1

申请日：2018-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李根 ,  李正吉 ,  金度亨 ,  尹基炫 ,  林炫锡

IPC: H10B41/27

Abstract: 提供半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：多个栅电极，其层叠在衬底上并且在垂直方向上彼此间隔开；以及沟道区域，其在所述垂直方向上延伸穿过所述多个栅电极。所述多个栅电极中的每一个可以包括：第一导电层，其限定朝向所述沟道区域凹入的凹陷；以及第二导电层，其位于由所述第一导电层限定的所述凹陷中。第二导电层中的杂质的第一浓度可以高于第一导电层中的杂质的第二浓度，并且所述杂质可以包括氮(N)。

公开(公告)号：CN109427807A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810818513.1

申请日：2018-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李根 ,  李正吉 ,  金度亨 ,  尹基炫 ,  林炫锡

IPC: H01L27/11556

Abstract: 提供半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：多个栅电极，其层叠在衬底上并且在垂直方向上彼此间隔开；以及沟道区域，其在所述垂直方向上延伸穿过所述多个栅电极。所述多个栅电极中的每一个可以包括：第一导电层，其限定朝向所述沟道区域凹入的凹陷；以及第二导电层，其位于由所述第一导电层限定的所述凹陷中。第二导电层中的杂质的第一浓度可以高于第一导电层中的杂质的第二浓度，并且所述杂质可以包括氮(N)。

公开(公告)号：CN106486461A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610756035.7

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。