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公开(公告)号：CN118695588A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410330898.2
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括基板、在基板上在第一水平方向上延伸的位线、在位线上的第一模层、在位线上的沟道层、在沟道层的侧壁上并且在第二水平方向上延伸的一条或更多条字线、以及在字线与沟道层之间的栅极绝缘层，其中第一模层限定暴露位线的上表面的一部分的模开口，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，其中沟道层包括第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及在第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之间的辅助沟道层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119789417A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202410608852.2
申请日：2024-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：多条位线BL，在第一方向D1上延伸；半导体图案SP，分别设置在所述多条位线BL上，半导体图案SP中的每个包括在第一方向D1上彼此面对的第一竖直部V1和第二竖直部V2以及连接第一竖直部V1和第二竖直部V2的水平部H；以及第一字线WL1和第二字线WL2，在第二方向D2上横跨所述多条位线BL延伸，并且第一字线WL1和第二字线WL2可以在水平部H上分别与半导体图案SP的第一竖直部V1和第二竖直部V2相邻设置。
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公开(公告)号：CN119029046A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410593504.2
申请日：2024-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；在衬底上的沟道图案，沟道图案具有在垂直于衬底的表面的垂直方向上延伸的侧壁和在水平方向上连接彼此面对的两个侧壁的下部的下部；栅极绝缘层图案和第一导电层图案，顺序地横向堆叠在沟道图案的内侧壁上；以及第二导电层图案，至少接触沟道图案的最上表面和上外侧壁，第二导电层图案与第一导电层图案间隔开。
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公开(公告)号：CN119835935A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410855046.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件可以包括：在衬底上的外围电路结构；在外围电路结构上的层间绝缘层；在层间绝缘层中在第一方向上延伸的位线；半导体图案，在位线上，并且包括在第一方向上彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及将第一垂直部分和第二垂直部分彼此连接的水平部分；第一字线和第二字线，在水平部分上并分别与第一垂直部分和第二垂直部分相邻；以及栅极绝缘图案，插设在第一垂直部分和第一字线之间以及在第二垂直部分和第二字线之间。层间绝缘层的上表面和位线的上表面彼此共面。
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公开(公告)号：CN119277777A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410696461.0
申请日：2024-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，其包括：衬底；设置在所述衬底上的导电线；在导电线上沿第一方向延伸并部分地覆盖导电线的水平沟道部分；设置在水平沟道部分上的分离绝缘层；包括在导电线上的第一部分和在垂直于衬底的第二方向上延伸的第二部分的栅极绝缘层；在栅极绝缘层和分离绝缘层之间的垂直沟道部分，垂直沟道部分在第二方向上延伸；以及在栅极绝缘层的第一部分上的间隔物。包含在水平沟道部分中的第一材料不同于包含在垂直沟道部分中的第二材料。
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