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公开(公告)号：CN118299376A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410002697.X
申请日：2024-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于静电放电保护的装置，所述装置包括：第一钳位电路，电连接在第一节点与第二节点之间；以及第二钳位电路，电连接在第二节点与第三节点之间，其中，第一钳位电路包括：第一可控硅整流器(SCR)，包括第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域、第一导电类型的第三区域和第二导电类型的第四区域，第一区域连接到第一节点，第四区域连接到第二节点；以及第一栅电极，设置在沟道区域上方，沟道区域包括第二区域和第三区域的结，第二区域和第三区域在第一区域与第四区域之间。
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公开(公告)号：CN118431223A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202311473712.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：第一电力垫；第二电力垫；信号垫；钳位电路，连接在第一电力垫与第二电力垫之间；驱动电路，连接到信号垫并且包括上拉电路和下拉电路；以及第一栅极关断电路，连接到下拉电路。第一栅极关断电路被构造为在高电压被施加到信号垫的静电放电(ESD)事件期间将下拉电路的栅极和下拉电路的源极彼此连接，并且控制由高电压生成的电流流到钳位电路。
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公开(公告)号：CN120035226A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411040464.5
申请日：2024-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：第一焊盘，被配置为接收和发送信号；第二焊盘，被输入预定参考电压；以及静电保护电路，包括电连接到第二焊盘并且掺杂有第一导电类型杂质的发射极区域、具有在第一方向和第二方向上围绕发射极区域的形状并且掺杂有与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质的基极区域、连接到第一焊盘并且具有在第一方向和第二方向上围绕发射极区域的形状的集电极区域、以及设置在集电极区域和基极区域之间并且通过元件隔离膜与集电极区域和基极区域分离的杂质区域。
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公开(公告)号：CN119170610A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410674702.1
申请日：2024-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，掺杂有第一导电类型杂质；第一阱，掺杂有与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质；第一有源区域，在第一阱中，该第一有源区域掺杂有第一导电类型杂质，并且通过第一互连部连接到第一焊盘；第二有源区域，在第一阱外部，该第二有源区域掺杂有第二导电类型杂质，并且通过第二互连部连接到第二焊盘；第三有源区域，在第一阱中围绕第一有源区域，并且掺杂有第二导电类型杂质；以及第四有源区域，在第一阱外部围绕第二有源区域，并且掺杂有第一导电类型杂质，其中，第三有源区域中的至少一个和第四有源区域中的至少一个通过第三互连部彼此电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119108391A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410747778.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种装置包括：第一可控硅整流器，其包括第一PNP双极结型晶体管(BJT)和第一NPN BJT；以及场效应晶体管(FET)，其被配置为基于在第一可控硅整流器的阳极和第一可控硅整流器的阴极之间发生的静电放电来触发第一可控硅整流器。第一PNP BJT的发射极对应于在第一方向上彼此间隔开的多个第一p+区。FET通过被设置在多个第一p+区之间的至少一个第一n+区连接到第一可控硅整流器。
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公开(公告)号：CN119069472A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410540229.8
申请日：2024-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。示例半导体装置包括：通过第一器件隔离膜彼此隔离的第一阱区域和第二阱区域；NPN晶体管，其由第一集电极区域和第一发射极区域提供，第一集电极区域形成在第一阱区域中并且包括第一导电类型的杂质，第一发射极区域形成在第二阱区域中并且包括第一导电类型的杂质；PNP晶体管，其由第二发射极区域和第二集电极区域提供，第二发射极区域形成在第一阱区域中并且包括与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质，第二集电极区域形成在第二阱区域中并且包括第二导电类型的杂质；以及NMOS晶体管，其包括形成在第二阱区域中并且包括第一导电类型的杂质的源极区域和漏极区域、以及设置在源极区域与漏极区域之间的栅极结构。
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公开(公告)号：CN118645503A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311603983.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种静电放电保护器件，所述静电放电保护器件包括：衬底、具有第一导电类型的第一阱和包围所述第一阱的第二阱、形成在所述第一阱上的第一扩散区至第五扩散区以及形成在所述第二阱上的第六扩散区和第七扩散区。所述第二扩散区包围所述第一扩散区，所述第四扩散区包围所述第三扩散区，并且所述第五扩散区包围所述第二扩散区和所述第四扩散区中的每一者。所述第六扩散区包围所述第五扩散区，并且所述第七扩散区包围所述第六扩散区。所述第六扩散区和所述第七扩散区连接到阳极电极，并且所述第一扩散区至所述第五扩散区连接到阴极电极。
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公开(公告)号：CN118282183A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311835444.2
申请日：2023-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备包括连接在第一节点和第二节点之间的第一钳位电路，其中，第一钳位电路包括：对称双极晶体管，包括控制端子、第一电流端子和第二电流端子，其中，第一电流端子和第二电流端子相对于控制端子彼此对称；第一双极晶体管，电连接到对称双极晶体管和第一节点；以及第二双极晶体管，电连接到对称双极晶体管和第二节点。
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