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公开(公告)号：CN119170610A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410674702.1
申请日：2024-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，掺杂有第一导电类型杂质；第一阱，掺杂有与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质；第一有源区域，在第一阱中，该第一有源区域掺杂有第一导电类型杂质，并且通过第一互连部连接到第一焊盘；第二有源区域，在第一阱外部，该第二有源区域掺杂有第二导电类型杂质，并且通过第二互连部连接到第二焊盘；第三有源区域，在第一阱中围绕第一有源区域，并且掺杂有第二导电类型杂质；以及第四有源区域，在第一阱外部围绕第二有源区域，并且掺杂有第一导电类型杂质，其中，第三有源区域中的至少一个和第四有源区域中的至少一个通过第三互连部彼此电连接。
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公开(公告)号：CN118299376A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410002697.X
申请日：2024-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于静电放电保护的装置，所述装置包括：第一钳位电路，电连接在第一节点与第二节点之间；以及第二钳位电路，电连接在第二节点与第三节点之间，其中，第一钳位电路包括：第一可控硅整流器(SCR)，包括第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域、第一导电类型的第三区域和第二导电类型的第四区域，第一区域连接到第一节点，第四区域连接到第二节点；以及第一栅电极，设置在沟道区域上方，沟道区域包括第二区域和第三区域的结，第二区域和第三区域在第一区域与第四区域之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118522726A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410187184.0
申请日：2024-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了一种用于使用双极结型晶体管的静电放电保护的装置，所述装置包括：第一阱，具有第一导电类型；第一栅电极，在第一阱上；第一区域和第二区域，在第一阱上均具有第二导电类型，并且第一栅电极设置在第一区域与第二区域之间；第三区域，在第一阱上具有第二导电类型；以及第四区域，在第一阱上具有第一导电类型。第一栅电极和第一区域电连接到第一节点，并且第三区域电连接到第二节点。
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公开(公告)号：CN118282183A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311835444.2
申请日：2023-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备包括连接在第一节点和第二节点之间的第一钳位电路，其中，第一钳位电路包括：对称双极晶体管，包括控制端子、第一电流端子和第二电流端子，其中，第一电流端子和第二电流端子相对于控制端子彼此对称；第一双极晶体管，电连接到对称双极晶体管和第一节点；以及第二双极晶体管，电连接到对称双极晶体管和第二节点。
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公开(公告)号：CN117790496A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310848337.7
申请日：2023-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种静电放电保护器件，包括：衬底，包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱；以及第一扩散区至第八扩散区，形成在第一阱和第二阱上。扩散区中形成在第一阱中的至少一部分连接到第一电极，扩散区中形成在第二阱中的至少一部分连接到第二电极。扩散区中形成在第一阱中的一个扩散区与N阱之间的结点形成触发二极管。扩散区中形成在第二阱中的一个扩散区与P阱之间的结点形成触发二极管。触发二极管彼此电连接。
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公开(公告)号：CN119108391A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410747778.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种装置包括：第一可控硅整流器，其包括第一PNP双极结型晶体管(BJT)和第一NPN BJT；以及场效应晶体管(FET)，其被配置为基于在第一可控硅整流器的阳极和第一可控硅整流器的阴极之间发生的静电放电来触发第一可控硅整流器。第一PNP BJT的发射极对应于在第一方向上彼此间隔开的多个第一p+区。FET通过被设置在多个第一p+区之间的至少一个第一n+区连接到第一可控硅整流器。
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